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资料编号:408104
 
资料名称:IRLL024N
 
文件大小: 114.5K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
IRLL024N
www.irf.com 3
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
图 2.
典型 输出 特性
图 1.
典型 输出 特性
图 3.
典型 转移 特性
1
10
100
0.1 1 10 100
20µs 脉冲波 宽度
t = 25 C
J
°
BOTTOM
VGS
15V
10V
7.0v
5.5v
4.5v
4.0v
3.5v
2.7v
v , 流-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
2.7v
1
10
100
0.1 1 10 100
20µs 脉冲波 宽度
t = 150 C
J
°
BOTTOM
VGS
15V
10V
7.0v
5.5v
4.5v
4.0v
3.5v
2.7v
v , 流-至-源 voltage (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
DS
D
2.7v
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
t , 接合面 温度 ( c)
r , 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
J
ds(在)
°
V =
I =
GS
D
10V
3.1a
1
10
100
2 4 6 8 10 12
v = 25v
20µs 脉冲波 宽度
DS
v , 门-至-源 电压 (v)
i , 流-至-源 电流 (一个)
GS
D
t = 25 c
J
°
t = 150 c
J
°
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