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参数 最小值 典型值 最大值 单位
情况
I
S
持续的 源 电流 场效应晶体管 标识
(身体 二极管)
––– –––
表明 这
I
SM
搏动 源 电流 integral 反转
(身体 二极管)
––– –––
p-n 接合面 二极管.
V
SD
二极管 向前 电压 ––– ––– -1.2 V T
J
= 25°c, i
S
= -1.3a, v
GS
= 0v
t
rr
反转 恢复 时间 ––– 22 33 ns T
J
= 25°c, i
F
= -1.3a
Q
rr
反转 recoverycharge ––– 8.0 12 nC di/dt = -100a/µs
repetitive 比率; 脉冲波 宽度 限制 用
最大值 接合面 温度.
脉冲波 宽度
≤
300µs; 职责 循环
≤
2%.
源-流 比率 和 特性
-1.3
-34
S
D
G
开始 t
J
= 25°c, l = 3.5mh
R
G
= 25
Ω
, i
作
= -4.3a.
参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
V
(br)dss
流-至-源 损坏 电压 -12 ––– ––– V V
GS
= 0v, i
D
= -250µa
∆
V
(br)dss
/
∆
T
J
损坏 电压 温度 系数 ––– -0.007 ––– v/°c 涉及 至 25°c, i
D
= -1ma
––– ––– 0.050 V
GS
= -4.5v, i
D
= -4.3a
R
ds(在)
静态的 流-至-源 在-阻抗
––– 0.085 V
GS
= -2.5v, i
D
= -2.5a
––– 0.125 V
GS
= -1.8v, i
D
= -2.0a
V
gs(th)
门 门槛 电压 -0.40 -0.55 -0.95 V V
DS
= v
GS
, i
D
= -250µa
g
fs
向前 跨导 8.6 ––– ––– S V
DS
= -10v, i
D
= -4.3a
––– ––– -1.0 V
DS
= -12v, v
GS
= 0v
––– ––– -25 V
DS
= -9.6v, v
GS
= 0v, t
J
= 55°c
门-至-源 向前 泄漏 ––– ––– -100 V
GS
= -8.0v
门-至-源 反转 泄漏 ––– ––– 100 V
GS
= 8.0v
Q
g
总的 门 承担 ––– 10 15 I
D
= -4.3a
Q
gs
门-至-源 承担 ––– 1.4 2.1 nC V
DS
= -10v
Q
gd
门-至-流 ("miller") 承担 ––– 2.6 3.9 V
GS
= -5.0v
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 ––– 11 ––– V
DD
= -6.0v
t
r
上升 时间 ––– 32 ––– I
D
= -1.0a
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 ––– 250 ––– R
D
= 6.0
Ω
t
f
下降 时间 ––– 210 ––– R
G
= 89
Ω
C
iss
输入 电容 ––– 830 ––– V
GS
= 0v
C
oss
输出 电容 ––– 180 ––– pF V
DS
= -10v
C
rss
反转 转移 电容 ––– 125 ––– ƒ = 1.0mhz
电的 特性 @ t
J
= 25°c (除非 否则 指定)
µA
Ω
I
DSS
流-至-源 泄漏 电流
nA
ns
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