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IRLR8503
参数 标识 irlr8503 单位
流-源 电压 V
DS
30 V
门-源 电压 V
GS
±20
持续的 流 或者 源 T
C
= 25°c I
D
44 一个
T
C
= 90°c 32
搏动 流 电流
I
DM
196
电源 消耗
T
C
= 25°c P
D
62 W
T
C
= 90°c 30
接合面 &放大; 存储 温度 范围 T
J
,
T
STG
–55 至 150 °C
持续的 源 电流 (身体 二极管) I
S
15 一个
搏动 源 电流
I
SM
196
• n-频道 应用-明确的 场效应晶体管
• 完美的 为 cpu 核心 直流-直流 转换器
• 低 传导 losses
• 降低 并行的 mosfets 为 高 电流
产品
描述
这个 新 设备 雇用 先进的 hexfet 电源
场效应晶体管 技术 至 达到 非常 低 在-阻抗.
这 减少 传导 losses 制造 它 完美的 为 高
效率 直流-直流 转换器 那 电源 这 最新的
一代 的 微处理器.
这 irlr8503 有 被 优化 和 是 100% 测试 为
所有 参数 那 是 核心的 在 同步的 buck
转换器 包含 r
ds(在)
, 门 承担 和 cdv/dt-
induced 转变-在 免除. 这 irlr8503 提供 一个
极其 低 结合体 的 q
sw
&放大; r
ds(在)
为 减少
losses 在 控制 场效应晶体管 产品.
这 包装 是 设计 为 vapor 阶段, infra-red,
convection, 或者 波 焊接 技巧. 电源
消耗 的 更好 比 2w 是 可能 在 一个 典型 pcb
挂载 应用.
HEXFET
®
场效应晶体管 为 直流-直流 转换器
IRLR8503
V
DS
30V
R
DS
(在)
18 m
Ω
Q
G
20 nc
Q
sw
8 nc
Q
oss
29.5 nc
设备 比率 (最大值. 值)
IRLR8503
d-pak
绝对 最大 比率
参数 标识 最大值 单位
最大 接合面-至-包围的
R
θ
JA
50 °c/w
最大 接合面-至-含铅的 R
θ
JL
2.0 °c/w
热的 阻抗
电流 (v
GS
≥
10v)
S
D
G
pd-93839a
12/21/00
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