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IRLR8503
图示 10. 典型 rds(在) vs. 门-至-源 电压
图示 8. normalized 在-阻抗 vs. 温度
IRLR8503
典型 特性
图示 9. 门-至-源 电压 vs. 典型 门
承担
图示 11. 典型 电容 vs. 流-至-源 电压
图示 12. 典型 转移 特性
100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T
J
, 接合面 温度 (
°
c )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
R
ds(在)
, 流-至-源 在 阻抗
(normalized)
I
D
= 15a
V
GS
= 4.5v
0 4 8 12 16
Q
g,
总的 门 承担 (nc)
0.0
2.0
4.0
6.0
V
G
S
, 门-至-源 电压 (v)
I
D
= 15a
V
DS
= 20v
3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0 11.0 12.0
V
gs,
门 -至 -源 电压 (v)
0.010
0.011
0.012
0.013
0.014
0.015
R
ds(在)
, 流-至 -源 o
n 阻抗 (
Ω
)
I
D
= 15a
1 10 100
0
500
1000
1500
2000
2500
v , 流-至-源 电压 (v)
c, 电容 (pf)
DS
V
C
C
C
=
=
=
=
0v,
C
C
C
f = 1mhz
+ c
+ c
c 短接
GS
iss gs gd , ds
rss gd
oss ds gd
C
iss
C
oss
C
rss
2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5
V
GS
, 门-至-源 电压 (v)
1.0
10.0
100.0
1000.0
I
D
, 流-至-源 电流
(Α
)
T
J
= 25
°
C
T
J
= 150
°
C
V
DS
= 15v
20µs 脉冲波 宽度