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标识 测试 情况 最大 比率
IXFK IXFN
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C 100 100 V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
100 100 V
V
GS
持续的
20
20 V
V
GSM
瞬时
30
30 V
I
D25
T
C
= 25
C 100
150 一个
I
D120
T
C
= 120
c, 限制 用 外部 leads 76 - 一个
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
560 560 一个
I
AR
T
C
= 25
C7575A
E
AR
T
C
= 25
C3030mJ
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
, 5 5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 500 520 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
T
L
1.6 mm (0.063 在) 从 情况 为 10 s 300 -
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 - 2500 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s - 3000 V~
M
d
挂载 torque 0.9/6 1.5/13 nm/lb.在.
终端 连接 torque - 1.5/13 nm/lb.在.
重量
10 30 g
HiPerFET
TM
电源 mosfets
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 高 dv/dt, 低 t
rr
特性
●
国际的 标准 包装
●
电子元件工业联合会
至-264 aa,
环氧的
满足
UL
94
v-0, flammability 分类
●
minibloc 和 aluminium 渗氮
分开
●
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
●
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
●
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
●
低 包装 电感
●
快 intrinsic 整流器
产品
●
直流-直流 转换器
●
同步的 整流
●
电池 chargers
●
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
●
直流 choppers
●
温度 和 lighting 控制
●
低 电压 接转
有利因素
●
容易 至 挂载
●
空间 savings
●
高 电源 密度
至-264 aa (ixfk)
S
G
D
D
S
G
S
g = 门 d = 流
s = 源 tab = 流
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
S
G
S
D
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 1 毫安 100 V
V
gh(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8 毫安 2 4 V
I
GSS
V
GS
=
20 v
直流
, v
DS
= 0
200 nA
I
DSS
V
DS
= 0.8 • v
DSS
T
J
= 25
C 400
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 75 一个 12 m
脉冲波 测试, t
300
s, 职责 循环 d
2 %
92803g(8/96)
minibloc, sot-227 b (ixfn)
E153432
(tab)
V
DSS
I
D25
R
ds(在)
IXFK100N10 100 v 100一个 12m
IXFN150N10 100 v 150一个 12m
t
rr
200 ns
ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
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