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资料编号:413263
 
资料名称:IXFK100N10
 
文件大小: 115.93K
   
说明
 
介绍:
HiPerFET Power MOSFETs
 
 


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2 - 4
© 2000 ixys 所有 权利 保留
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 50 一个, 脉冲波 测试 80 S
C
iss
9000 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 3200 pF
C
rss
1800 pF
t
d(在)
30 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 75 一个 60 ns
t
d(止)
R
G
= 1

(外部), 100 ns
t
f
60 ns
Q
g(在)
360 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 • v
DSS
, i
D
= 75 一个 75 nC
Q
gd
180 nC
R
thJC
至-264 aa 0.25 k/w
R
thCK
至-264 aa 0.15 k/w
R
thJC
minibloc, sot-227 b 0.24 k/w
R
thCK
minibloc, sot-227 b 0.05 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v ixfk 100 100 一个
ixfn 150 150 一个
I
SM
repetitive; ixfk 100 400 一个
脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
ixfn 150 600 一个
V
SD
I
F
= 100 一个, v
GS
= 0 v, 1.75 V
脉冲波 测试, t

300
s, 职责 循环 d

2 %
t
rr
150 200 ns
Q
RM
0.6
C
I
RM
8A
I
F
= 25 一个
-di/dt = 100 一个/
s,
V
R
= 50 v
Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.82 5.13 .190 .202
A1 2.54 2.89 .100 .114
A2 2.00 2.10 .079 .083
b 1.12 1.42 .044 .056
b1 2.39 2.69 .094 .106
b2 2.90 3.09 .114 .122
c 0.53 0.83 .021 .033
D 25.91 26.16 1.020 1.030
E 19.81 19.96 .780 .786
e 5.46 bsc .215 bsc
J 0.00 0.25 .000 .010
K 0.00 0.25 .000 .010
L 20.32 20.83 .800 .820
L1 2.29 2.59 .090 .102
P 3.17 3.66 .125 .144
Q 6.07 6.27 .239 .247
Q1 8.38 8.69 .330 .342
R 3.81 4.32 .150 .170
R1 1.78 2.29 .070 .090
S 6.04 6.30 .238 .248
T 1.57 1.83 .062 .072
维度
至-264 aa 外形
m4 screws (4x) 有提供的
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 31.50 31.88 1.240 1.255
B 7.80 8.20 0.307 0.323
C 4.09 4.29 0.161 0.169
D 4.09 4.29 0.161 0.169
E 4.09 4.29 0.161 0.169
F 14.91 15.11 0.587 0.595
G 30.12 30.30 1.186 1.193
H 38.00 38.23 1.496 1.505
J 11.68 12.22 0.460 0.481
K 8.92 9.60 0.351 0.378
L 0.76 0.84 0.030 0.033
M 12.60 12.85 0.496 0.506
N 25.15 25.42 0.990 1.001
O 1.98 2.13 0.078 0.084
P 4.95 5.97 0.195 0.235
Q 26.54 26.90 1.045 1.059
R 3.94 4.42 0.155 0.174
S 4.72 4.85 0.186 0.191
T 24.59 25.07 0.968 0.987
U -0.05 0.1 -0.002 0.004
minibloc, sot-227 b
ixfk 100n10
ixfn 150n10
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 一个 或者 更多 的 这 下列的 u.s. 专利权:
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
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