ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况, 和 维度.
ixta 110n055p ixtp 110n055p
ixtq 110n055p
标识 测试情况 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
g
fs
V
DS
= 10 v; i
D
= 0.5 i
D25
, 脉冲波 测试 23 36 S
C
iss
2210 pF
C
oss
V
GS
= 0 v, v
DS
= 25 v, f = 1 mhz 1400 pF
C
rss
550 pF
t
d(在)
27 ns
t
r
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 v
DSS
, i
D
= i
D25
53 ns
t
d(止)
R
G
= 10
Ω
(外部) 66 ns
t
f
45 ns
Q
g(在)
76 nC
Q
gs
V
GS
= 10 v, v
DS
= 0.5 v
DSS
, i
D
= 0.5 i
D25
17 nC
Q
gd
33 nC
R
thJC
0.38 k/w
R
thCK
(至-3p) 0.21 k/w
(至-220) 0.25 k/w
源-流 二极管 典型的 值
(t
J
= 25
°
c, 除非 否则 指定)
标识 测试情况 最小值 典型值 最大值
I
S
V
GS
= 0 v 110 一个
I
SM
Repetitive 250 一个
V
SD
I
F
= i
S
, v
GS
= 0 v, 1.5 V
脉冲波 测试, t
≤
300
µ
s, 职责 循环 d
≤
2 %
t
rr
I
F
= 25 一个 120 ns
-di/dt = 100 一个/
µ
s
Q
RM
V
R
= 25 v 1.4
µ
C
至-3p (ixtq) 外形
管脚: 1 - 门 2 - 流
至-220 (ixtp) 外形
维度 Millimeter 英寸
最小值 最大值 最小值 最大值
一个 4.06 4.83 .160 .190
A1 2.03 2.79 .080 .110
b 0.51 0.99 .020 .039
b2 1.14 1.40 .045 .055
c 0.46 0.74 .018 .029
c2 1.14 1.40 .045 .055
D 8.64 9.65 .340 .380
D1 7.11 8.13 .280 .320
E 9.65 10.29 .380 .405
E1 6.86 8.13 .270 .320
e 2.54 BSC .100 BSC
L 14.61 15.88 .575 .625
L1 2.29 2.79 .090 .110
L2 1.02 1.40 .040 .055
L3 1.27 1.78 .050 .070
L4 0 0.38 0 .015
R 0.46 0.74 .018 .029
至-263 (ixta) 外形
ixys mosfets 和 igbts 是 covered 用 4,835,592 4,931,844 5,049,961 5,237,481 6,162,665 6,404,065 b1 6,683,344 6,727,585
一个 或者 moreof 这 下列的 u.s. 专利权: 4,850,072 5,017,508 5,063,307 5,381,025 6,259,123 b1 6,534,343 6,710,405b2 6,759,692
4,881,106 5,034,796 5,187,117 5,486,715 6,306,728 b1 6,583,505 6,710,463
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