IXTQ110N055P_集成电路资料查询网

ixys reserves 这 正确的 至 改变 限制, 测试 情况,  和  维度.
ixta 110n055p  ixtp 110n055p
ixtq 110n055p
图. 11. 电容
100
1000
10000
0 5 10 15 20 25 30 35 40
V
DS
- 伏特
Capacitance -picoFarads
C
iss
C
oss
C
rss
f = 1mhz
图. 10. 门Charge
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 1020304050607080
Q
G
- nanocoulombs
V
g s
- 伏特
V
DS
= 22.5V
I
D
= 55a
I
G
= 10m一个
图. 7. 输入 admittance
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
234567891011
V
g s
- 伏特
I
D
-Amperes
T
J
= -40
º
C
25
º
C
150
º
C
图. 8. transconductance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0 50 100 150 200 250 300
I
D
- 一个mperes
g
f s
- siemens
T
J
= -40
º
C
25
º
C
150
º
C
图. 9. sourceCurrent vs.
Source-至-drain voltage
0
50
100
150
200
250
300
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2
V
s d
- 伏特
I
S
-Amperes
T
J
= 150
º
C
T
J
= 25
º
C
图. 12. 为w ard-偏差
SafeOperating are一个
1
10
100
1000
110100
V
d s
- 伏特
I
D
-Amperes
100µs
1ms
直流
T
J
= 175
º
C
T
C
= 25
º
C
R
ds(在)
限制
10ms
25µs

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ixys reserves 这正确的至改变限制, 测试情况, 和维度. ixta 110n055p ixtp 110n055p ixtq 110n055p 图. 11. 电容 100 1000 10000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 V DS - 伏特 Capacitance -picoFarads C iss C oss C rss f = 1mhz 图. 10. 门Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 1020304050607080 Q G - nanocoulombs V g s - 伏特 V DS = 22.5V I D = 55a I G = 10m一个图. 7. 输入 admittance 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 234567891011 V g s - 伏特 I D -Amperes T J = -40 º C 25 º C 150 º C 图. 8. transconductance 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0 50 100 150 200 250 300 I D - 一个mperes g f s - siemens T J = -40 º C 25 º C 150 º C 图. 9. sourceCurrent vs. Source-至-drain voltage 0 50 100 150 200 250 300 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 V s d - 伏特 I S -Amperes T J = 150 º C T J = 25 º C 图. 12. 为w ard-偏差 SafeOperating are一个 1 10 100 1000 110100 V d s - 伏特 I D -Amperes 100µs 1ms 直流 T J = 175 º C T C = 25 º C R ds(在) 限制 10ms 25µs

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