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资料编号:421763
 
资料名称:2SJ602-Z
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14647ej3v0ds
3
2SJ602
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
pw - 脉冲波 宽度 - s
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
r
th(t)
- 瞬时 热的 阻抗 - ˚c/w
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m 10 m 100 m 1 10 100 1000
单独的 脉冲波
10 100
R
th(j-c)
= 3.13˚c/w
µµ
R
th(j-一个)
= 83.3˚c/w
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
dt - percentage 的 评估 电源 - %
04020 60 100 14080 120 160
100
80
60
40
20
0
T
C
- 情况 温度 -
˚
C
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
8020 40 60 100 140120 160
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
60
50
40
30
20
10
0
向前 偏差 safe 运行 范围
I
D
- 流 电流 - 一个
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
1
10
100
0.1
1
10
T
C
= 25
˚
C
单独的 脉冲波
0.1
100
电源 消耗 限制
直流
R
ds(在)
限制
I
d(直流)
I
d(脉冲波)
pw = 10
µ
s
100
µ
s
1 ms
10 ms
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