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资料编号:421763
 
资料名称:2SJ602-Z
 
文件大小: 82K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14647ej3v0ds
4
2SJ602
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
1
0.1
150
100
50
0
10
100
搏动
V
GS
=
4.0 v
4.5 v
10 v
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
搏动
1
2
3
4
5
V
DS
=
10 v
10
1
0.1
100
T
一个
=
55
˚
C
25
˚
C
75
˚
C
125
˚
C
0.01
向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
0.01
0.1
1
10
100
10
100
0.1
1
搏动
V
DS
=
10 v
0.01
T
一个
= 125
˚
C
75
˚
C
25
˚
C
55
˚
C
门 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
V
gs(止)
- 门 截-止 电压 - v
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
1.0
2.0
3.0
50 0 50 100
0
150
4.0
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0
4
6
8
60
50
40
30
20
10
0
2
搏动
10
4.5 v
4.0 v
V
GS
=
10 v
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
0
5
10
15
20
搏动
120
100
80
60
40
20
0
I
D
=
20 一个
10 一个
4 一个
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