关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:421763
资料名称:
2SJ602-Z
文件大小: 82K
说明
:
介绍
:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14647ej3v0ds
4
2SJ602
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
Ω
–
1
–
0.1
150
100
50
0
–
10
–
100
搏动
V
GS
=
–
4.0 v
–
4.5 v
–
10 v
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
搏动
–
1
–
2
–
3
–
4
–
5
V
DS
=
–
10 v
–
10
–
1
–
0.1
–
100
T
一个
=
−
55
˚
C
25
˚
C
75
˚
C
125
˚
C
–
0.01
向前 转移 admittance vs.
流 电流
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
–
0.01
–
0.1
–
1
10
100
–
10
–
100
0.1
1
搏动
V
DS
=
–
10 v
0.01
T
一个
= 125
˚
C
75
˚
C
25
˚
C
−
55
˚
C
门 截-止 电压 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚
C
V
gs(止)
- 门 截-止 电压 - v
V
DS
=
–
10 v
I
D
=
–
1 毫安
–
1.0
–
2.0
–
3.0
–
50
0
50
100
0
150
–
4.0
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0
–
4
–
6
–
8
–
60
–
50
–
40
–
30
–
20
–
10
0
–
2
搏动
–
10
–
4.5 v
–
4.0 v
V
GS
=
–
10 v
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
Ω
0
–
5
–
10
–
15
–
20
搏动
120
100
80
60
40
20
0
I
D
=
–
20 一个
–
10 一个
–
4 一个
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com