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资料编号:421837
 
资料名称:2SJ624
 
文件大小: 71.26K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d15890ej1v0ds
2
2SJ624
电的 特性 (t
一个
= 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= –20 v, v
GS
= 0 v –10
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
m
8.0 v, v
DS
= 0 v
m
10
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= –10 v, i
D
= –1.0 毫安 –0.45 –0.75 –1.5 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= –10 v, i
D
= –2.5 一个 5.0 9.5 S
流 至 源 在-状态 阻抗 R
ds(在)1
V
GS
= –4.5 v, i
D
= –2.5 一个 43 54 m
R
ds(在)2
V
GS
= –2.5 v, i
D
= –2.5 一个 53 71 m
R
ds(在)3
V
GS
= –1.8 v, i
D
= –1.5 一个 65 108 m
输入 电容 C
iss
V
DS
= –10 v 813 pF
输出 电容 C
oss
V
GS
= 0 v 165 pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1.0 mhz 69 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= –10 v, i
D
= –2.5 一个 14 ns
上升 时间 t
r
V
GS
= –4.0 v 42 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
R
G
= 10
80 ns
下降 时间 t
f
92 ns
总的 门 承担 Q
G
V
DD
= –16 v 8.1 nC
门 至 源 承担 Q
GS
V
GS
= –4.0 v 1.3 nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= –4.5 一个 2.8 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 4.5 一个, v
GS
= 0 v 0.90 V
测试 电路 2 门 承担
测试 电路 1 切换 时间
pg.
R
G
0
V
gs (
)
d.u.t.
R
L
V
DD
τ
= 1 s
µ
职责 循环
1%
τ
pg.
50
d.u.t.
R
L
V
DD
I
G
=
2 毫安
V
GS
波 表格
V
DS
波 表格
V
gs (
)
V
ds (
)
10%
0
0
90%
90%
90%
V
GS
V
DS
t
t
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10% 10%
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