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资料编号:421837
 
资料名称:2SJ624
 
文件大小: 71.26K
   
说明
 
介绍:
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d15890ej1v0ds
3
2SJ624
典型 特性 (t
一个
= 25°c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
dt - percentage 的 评估 电源 - %
0
20
40
60
80
100
120
0 255075100125150175
T
一个
- 包围的 温度 -
°
C
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
0 255075100125150175
挂载 在 fr-4 板 的
50 cm
2
x 1.1 mm
T
一个
- 包围的 温度 -
°
C
向前 偏差 safe 运行 范围
I
D
- 流 电流 - 一个
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
-0.1 -1 -10 -100
100 ms
10 ms
I
d(脉冲波)
I
d(直流)
PW= 1 ms
R
ds(在)
Limited
(v
GS
=
4.5 v)
5 s
单独的 脉冲波
挂载 在 fr-4 板 的
50 cm
2
x 1.1 mm
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
r
th(ch-一个)
- 瞬时 热的 阻抗 -
°
c/w
1
10
100
1000
单独的 脉冲波
没有 板
挂载 在 fr-4 板 的
50 cm
2
x 1.1 mm
pw - 脉冲波 宽度 - s
1 m 10 m 100 m 1 10 100 1000
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