k3010p(g) 序列
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6 (9)
文档 号码 83504
rev. a4, 13–sep–99
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
100
200
300
400
0 20406080100
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11701
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 6. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 7. 向前 电流 vs. 向前 电压
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11922
V
S
=3V
R
L
=150
W
i – 相关的 门槛 向前 电流
FTrel
图示 8. 相关的 门槛 向前 电流 vs.
包围的 温度
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11923
v – 相关的 on–state 电压
TMrel
I
F
w
I
FT
I
T
=100mA
图示 9. 相关的 在 - 状态 vs. 包围的 温度
1
10
100
20 30 40 50 60 70 80 90 100
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c )
96 11924
V
DR
=100V
I
F
=0
i – off–state 电流 ( na )
DRM
图示 10. 止 - 状态 电流 vs. 包围的 温度
–250
–200
–150
–100
–50
0
50
100
150
200
250
–2.5 –2.0 –1.5 –1.0 –0.5 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
V
TM
– on–state 电压 ( v )
96 11925
i – on–state 电流 ( 毫安 )
TM
I
FT
=15mA
图示 11. 在 - 状态 电流 vs. 包围的 温度
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