k4m563233d-m(e)e/n/i/p
rev. 1.1 dec. 2002
cmos sdram
一般 描述特性
2m x 32bit x 4 banks sdram 在 90fbga
函数的 块 图解
订货 信息
- m(e)e/n ; 正常的/低 电源, 温度 : -25
°
c ~ 85
°
c.
- m(e)i/p ; noraml/低 电源, 温度 : -40
°
c ~ 85
°
c.
便条 :
1. 在 情况 的 40mhz 频率, cl1 能 是 supported.
部分 非. 最大值 freq. 接口 包装
k4m563233d-m(e)e/n/i/p80
125mhz(cl=3)
105mhz(cl=2)
LVCMOS
90 fbga
铅
(铅 自由)
k4m563233d-m(e)e/n/i/p1h 105mhz(cl=2)
k4m563233d-m(e)e/n/i/p1l
105mhz(cl=3)
*1
•3.0v &放大; 3.3v 电源 供应
•lvcmos 兼容 和 多路复用 地址
•四 banks 运作
•mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency (1, 2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
•所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟
•burst 读 单独的-位 写 运作
•dqm 为 masking
•自动 &放大; 自 refresh
•64ms refresh 时期 (4k 循环).
•扩展 温度 运作 (-25
°
c ~ 85
°
c).
•inderstrial 温度 运作 (-40
°
c ~ 85
°
c).
•90balls ddp fbga(-mxxx -铅, -exxx -铅 free).
bank 选择
数据 输入 寄存器
2m x 32
2m x 32
Sense一个MP
OutputBufferi/OC在trol
column 解码器
latency &放大; burst 长度
程序编制 寄存器
一个ddressRegister
RowBuffer
RefreshCounter
RowDecoder Col.Buffer
LR作
LCBR
LCKE
LRAS LCBR LWE LDQM
CLK CKE CS RAS CAS 我们 DQM
LWE
LDQM
DQi
CLK
增加
LCAS LWCBR
2m x 32
2m x 32
定时 寄存器
* samsung electronics reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
这 k4m283233d 是 268,435,456 位 同步的 高 数据
比率 动态 内存 有组织的 作 4 x 2,097,152 words 用 32
位, fabricated 和 samsung
′
s 高 效能 cmos
技术. 同步的 设计 准许 准确的 循环 控制
和 这 使用 的 系统 时钟 和 i/o transactions 是 可能
在 每 时钟 循环. 范围 的 运行 发生率, 程序-
mable burst 长度 和 可编程序的 latencies 准许 这
一样 设备 至 是 有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽 和
高 效能 记忆 系统 产品.
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