k4m563233d-m(e)e/n/i/p
rev. 1.1 dec. 2002
cmos sdram
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 vSS = 0v, t一个= -25
°
c 至 85
°
c 为 扩展, -40
°
c 至 85
°
c 为 工业的)
注释
:
1. vIH(最大值) = 5.3v 交流. 这 越过 电压 持续时间 是
≤
3ns.
2. vIL(最小值) = -2.0v 交流. 这 undershoot 电压 持续时间 是
≤
3ns.
3. 任何 输入 0v
≤
V在
≤
VDDQ.
输入 泄漏 电流 包含 hi-z 输出 泄漏 为 所有 bi-directional 缓存区 和 触发-状态 输出.
4. dout 是 无能, 0v
≤
V输出
≤
Vddq.
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
供应 电压
VDD 2.7 3.0 3.6 V
VDDQ 2.7 3.0 3.6 V
输入 逻辑 高 电压 VIH 2.2 3.0 VDDQ+0.3 V 1
输入 逻辑 低 电压 VIL -0.3 0 0.5 V 2
输出 逻辑 高 电压 VOH 2.4 - - V I OH= -2ma
输出 逻辑 低 电压 VOL - - 0.4 V IOL= 2ma
输入 泄漏 电流 ILI -10 - 10 uA 3
电容
(vDD= 3.0v &放大; 3.3v, t一个= 23
°
c, f = 1mhz, vREF=0.9v
±
50 mv)
管脚 标识 最小值 最大值 单位 便条
时钟 CCLK 3.0 9.0 pF
RAS,CAS,我们,CS, cke C在 3.0 9.0 pF
DQM C在 1.5 4.5 pF
地址 C增加 3.0 9.0 pF
DQ0~ dq31 C输出 3.0 6.5 pF
绝对 最大 比率
注释
:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
参数 标识 值 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss V在, v输出 -1.0 ~ 4.6 V
电压 在 v DD供应 相关的 至 vss VDD, vDDQ -1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 TSTG -55 ~ +150
°
C
电源 消耗 PD 1 W
短的 电路 电流 IOS 50 毫安
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