K4S161622E cmos sdram
rev 1.1 jan '03
1. 除非 否则 注释, 输入 水平的 是 cmos(v
IH
/v
IL
=V
DDQ
/v
SSQ
) 在 lvttl.
2. 量过的 和 输出 打开. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在 tcc(最小值).
3. refresh 时期 是 32ms. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在 tcc(最小值).
4. k4s161622e-tc**
便条 :
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t
一个
= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
CAS
Latency
Version
单位 便条
-55 -60 -70 -80 -10
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
I
CC1
burst 长度 =1
t
RC
≥
t
RC
(最小值)
I
o
= 0 毫安
3 120 115 105 95 85
毫安 2
2 --95 95 80
precharge 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
I
CC2
PCKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 15ns 2
毫安
I
CC2
PS cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
2
precharge 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
15
毫安
I
CC2
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
5
起作用的 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
I
CC3
PCKE
≤
V
IL
(最大值), t
CC
= 15ns 3
毫安
I
CC3
PS cke &放大; clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
3
起作用的 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), cs
≥
V
IH
(最小值), t
CC
= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
25 毫安
I
CC3
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值), t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
15 毫安
运行 电流
(burst 模式)
I
CC4
I
o
= 0 毫安
页 burst 2banks 使活动
t
CCD
= 2clks
3 155 150 140 130 115
毫安 2
2 --115 115 100
refresh 电流 I
CC5
t
RC
≥
t
RC
(最小值)
3 105 100 90 90 80
毫安 3
2 --90 90 80
自 refresh 电流 I
CC6
CKE
≤
0.2v 1 毫安 4
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