K4S281632B
rev. 0.0 8月. 1999
cmos sdram
直流 特性
1. 量过的 和 输出 打开.
2. refresh 时期 是 64ms.
3. k4s281632b-tc**
4. k4s281632b-tl**
5. 除非 否则 指出, 输入 摆动 ievei 是 cmos(vIH/vIL=VDDQ/vssq)
注释 :
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
版本
单位 便条
-75 -80 -1h -1l -10
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
ICC1
burst 长度 = 1
tRC
≥
tRC(最小值)
IO= 0 毫安
150 150 140 140 140 毫安 1
precharge 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC2P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 10ns 1
毫安
ICC2PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
1
precharge 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
ICC2N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
20
毫安
ICC2NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
7
起作用的 备用物品 电流 在
电源-向下 模式
ICC3P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 10ns 5
毫安
ICC3PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
5
起作用的 备用物品 电流 在
非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
ICC3N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 10ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 20ns
30 毫安
ICC3NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
20 毫安
运行 电流
(burst 模式)
ICC4
IO= 0 毫安
页 burst
4banks 使活动
tCCD= 2clks
180 170 145 145 145 毫安 1
refresh 电流 ICC5 tRC
≥
tRC(最小值) 220 220 210 210 210 毫安 2
自 refresh 电流 ICC6 CKE
≤
0.2v
C 1.5 毫安 3
L 800 uA 4
: 点此下载
