K4S281632B
rev. 0.0 8月. 1999
cmos sdram
交流 运行 测试 情况
(vDD= 3.3v
±
0.3v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 值 单位
交流 输入 水平 (vih/vil) 2.4/0.4 V
输入 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输入 上升 和 下降 时间 tr/tf = 1/1 ns
输出 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输出 加载 情况 看 图. 2
3.3v
1200
Ω
870
Ω
输出
50pF
VOH(直流) = 2.4v, iOH= -2ma
VOL(直流) = 0.4v, iOL= 2ma
vtt = 1.4v
50
Ω
输出
50pF
z0 = 50
Ω
(图. 2) 交流 输出 加载 电路(图. 1) 直流 输出 加载 电路
运行 交流 参数
1. 这 最小 号码 的 时钟 循环 是 决定 用 dividing 这 最小 时间 必需的 和 时钟 循环 时间
和 然后 rounding 止 至 这 next 高等级的 integer.
2. 最小 延迟 是 必需的 至 完全 写.
3. 所有 部分 准许 每 循环 column 地址 改变.
4. 在 情况 的 行 precharge 中断, 自动 precharge 和 读 burst 停止.
5. 为 -80/1h/1l/10, trdl=1clk 和 tdal=1clk+20ns 是 也 supported .
samsung 推荐 trdl=2clk 和 tdal=2clk + 20ns.
注释 :
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
参数 标识
版本
单位 便条
- 75 - 80 - 1h - 1l -10
行 起作用的 至 行 起作用的 延迟 tRRD(最小值) 15 16 20 20 20 ns 1
RAS至CAS延迟 tRCD(最小值) 20 20 20 20 24 ns 1
行 precharge 时间 tRP(最小值) 20 20 20 20 24 ns 1
行 起作用的 时间
tRAS(最小值) 45 48 50 50 50 ns 1
tRAS(最大值) 100 美国
行 循环 时间 tRC(最小值) 65 68 70 70 80 ns 1
last 数据 在 至 行 precharge tRDL(最小值) 2 CLK 2,5
last 数据 在 至 起作用的 延迟 tDAL(最小值) 2 clk + 20 ns - 5
last 数据 在 至 新 col. 地址 延迟 tCDL(最小值) 1 CLK 2
last 数据 在 至 burst 停止 tBDL(最小值) 1 CLK 2
col. 地址 至 col. 地址 延迟 tCCD(最小值) 1 CLK 3
号码 的 有效的 输出 数据
cas latency=3 2
ea 4
cas latency=2 - 1