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资料编号:434148
 
资料名称:K4T51163QC-ZCD5
 
文件大小: 629.93K
   
说明
 
介绍:
512Mb C-die DDR2 SDRAM
 
 


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rev. 1.4 8月. 2005
ddr2 sdram
512mb c-消逝 ddr2 sdram
差别的 输入交流 逻辑 水平的
注释:
1. v
ID
(交流) specifies 这 输入 差别的 电压 |v
TR
-v
CP
| 必需的 为 切换, 在哪里 v
TR
是 这 真实 输入 信号 (此类 作 ck, dqs, ldqs 或者 udqs)
和 v
CP
是 这 complementary 输入 信号 (此类 作 ck, dqs, ldqs或者 udqs). 这 最小 值 是 equal 至 v
IH
(交流) - v
IL
(交流).
2. 这 典型 值 的 v
IX
(交流) 是 预期的 至 是 关于 0.5 * vddq 的 这 transmitting 设备 和 v
IX
(交流) 是 预期的 至 追踪 变化 在 vddq .
V
IX
(交流) indicates 这 电压 在 这个 差别的 输入 信号 必须 交叉.
差别的 交流 输出 参数
便条 :
1. 这 典型 值 的 v
OX
(交流) 是 预期的 至 是 关于 0.5 * vddq 的 这 transmitting 设备 和 v
OX
(交流) 是 预期的 至 追踪 变化 在 vddq .
V
OX
(交流) indicates 这 电压 在 这个 差别的 输出 信号 必须 交叉.
odt 直流 电的 特性
note1: 测试 情况 为 rtt 度量
度量 定义 为 rtt(eff): 应用 v
IH
(交流) 和 v
IL
(交流) 至 测试 管脚 separately, 然后 measure 电流 i(v
IH
(交流)) 和 i( v
IL
(交流)) 各自. v
IH
(交流), v
IL
(交流), 和 vddq 值 定义 在 sstl_18
度量 定义 为 vm: measure 电压 (v
M
) 在 测试 管脚 (中点) 和 非 加载.
标识 参数 最小值 最大值 单位 注释
V
id(交流)
交流 差别的 输入 电压
0.5 V
DDQ
+ 0.6 V 1
V
ix(交流)
交流 差别的 交叉 要点 电压
0.5 * vddq - 0.175 0.5 * vddq + 0.175 V 2
标识 参数 最小值 最大值 单位 便条
V
OX
(交流)
交流 差别的 交叉 要点 电压
0.5 * vddq - 0.125 0.5 * vddq + 0.125 V 1
参数/情况 标识 最小值 NOM 最大值 单位 注释
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs(a6,a2)=0,1; 75 ohm rtt1(eff) 60 75 90 ohm 1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs(a6,a2)=1,0; 150 ohm rtt2(eff) 120 150 180 ohm 1
rtt 有效的 阻抗 值 为 emrs(a6,a2)=1,1; 50 ohm rtt3(eff) 40 50 60 ohm 1
背离 的 vm 和 遵守 至 vddq/2 delta vm - 6 + 6 % 1
V
DDQ
越过 要点
V
SSQ
V
TR
V
CP
V
ID
V
ix 或者
V
OX
< 差别的 信号 水平 >
rtt(eff) =
V
IH
(交流)
-
V
IL
(交流)
i(
V
IH
(交流)
) - i(
V
IL
(交流)
)
delta vm =
2 x vm
VDDQ
x 100%
- 1
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