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资料编号:434259
 
资料名称:K6F1008V2C
 
文件大小: 126.82K
   
说明
 
介绍:
128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
cmos sramk6f1008v2c 家族
修订 1.0
六月 2002
2
128kx8 位 超级的 低 电源 和 低 电压 cmos 静态的 内存
一般 描述
这 k6f1008v2c families 是 fabricated 用 samsung
s
先进的 全部 cmos 处理 技术. 这 families 支持
工业的 温度 范围 和 有 各种各样的 包装 类型
为 用户 flexibility 的 系统 设计. 这 families 也 支持
低 数据 保持 电压 为 电池 后面的-向上 运作 和 低
数据 保持 电流.
特性
处理 技术: 全部 cmos
organization: 128k x8 位
电源 供应 电压: 3.0~3.6v
低 数据 保持 电压: 1.5v(最小值)
三 状态 输出
包装 类型: 32-tsop1-0813.4f
函数的 块 图解
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 产品 和 规格 没有 注意.
precharge 电路.
记忆 排列
1024 rows
128
×
8 columns
i/o 电路
column 选择
clk gen.
选择
i/o1
数据
内容
数据
内容
i/o8
CS1
我们
OE
CS2
控制
逻辑
产品 家族
1. 这 参数 是 量过的 和 30pf 测试 加载.
2. 典型 值 是 量过的 在 vCC=3.3v, t一个=25
°
c 和 不 100% 测试.
产品 家族 运行 温度 vcc 范围
电源 消耗
pkg 类型
备用物品
(iSB1, 典型值.)
运行
(iCC1, 最大值)
k6f1008v2c-f 工业的(-40~85
°
c) 3.0~3.6v 55
1)
/70ns 0.5
µ
一个
2)
3mA
32-tsop1-0813.4f
管脚 描述
名字 函数 名字 函数
CS1, cs2 碎片 选择 输入 i/o1~i/o8 数据 输入/输出
OE 输出 使能 输入 Vcc 电源
我们 写 使能 输入 Vss 地面
一个0~A16 地址 输入 NC 非 连接
A11
A9
A8
A13
我们
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CS1
i/o8
i/o7
i/o6
i/o5
i/o4
VSS
i/o3
i/o2
i/o1
A0
A1
A2
A3
32-stsop
type1-向前
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
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