cmos sramk6f1008v2c 家族
修订 1.0
六月 2002
4
电容
1)
(f=1mhz, ta=25
°
c)
1. 电容 是 抽样, 不 100% 测试
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入 电容 C在 V在=0V - 8 pF
输入/输出 电容 CIO VIO=0V - 10 pF
直流 和 运行 特性
1. 典型 值 是 量过的 在 vCC=3.3v, t一个=25
°
c 和 不 100% 测试.
2. 超级的 低 电源 产品=1
µ
一个 和 特定的 处理.
Item 标识 测试 情况 最小值
典型值
1
最大值 单位
输入 泄漏 电流 ILI V在=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
输出 泄漏 电流 ILO CS1=VIH或者 cs2=VIL或者OE=VIH或者我们=VIL, vIO=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
平均 运行 电流
ICC1
循环 时间=1
µ
s,100%duty, iIO=0ma,CS1
≤
0.2v, cs2
≥
vcc-0.2v, v在
≤
0.2v
或者 v在
≥
VCC-0.2v
- - 3 毫安
ICC2
循环 时间=最小值, 100% 职责,IIO=0ma,CS1=VIL, cs2=Vih,V在=VIH或者 vIL
- - 35 毫安
输出 低 电压 VOL IOL=2.1ma - - 0.4 V
输出 高 电压 VOH IOH=-1.0ma 2.4 - - V
备用物品 电流(cmos) ISB1 CS1
≥
vcc-0.2v, cs2
≥
vcc-0.2v 或者 cs2
≤
0.2v, 其它 输入=0~vcc - 0.5
5
2)
µ
一个
推荐 直流 运行 情况
1)
便条 :
1. t一个=-40 至 85
°
c, 否则 指定
2. 越过: vcc+2.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
20ns.
3. undershoot: -2.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
20ns.
4. 越过 和 undershoot 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 Vcc 3.0 3.3 3.6 V
地面 Vss 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.2 -
vcc+0.3
2)
V
输入 低 电压 VIL
-0.3
3)
- 0.6 V
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