k6t4008c1b 家族
cmos sram
修订 3.0
九月 1998
1
文档 标题
512kx8 位 低 电源 cmos 静态的 内存
修订 history
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修订 非.
0.0
0.1
1.0
2.0
3.0
Remark
进步
初步的
最终
最终
最终
History
最初的 draft
修订
- changed 运行 电流 用 reticle 修订
ICC在 写 : 35ma
→
45mA
ICC1在 读/写 : 15/35ma
→
10/45ma
Finalize
- changed 运行 电流
ICC1在 写 : 45ma
→
40mA
ICC2; 90ma
→
80mA
- 改变 测试 加载 在 55ns : 100pf
→
50pF
修订
- 改变 数据手册 format
修订
- 工业的 产品 速 bin 改变:70/100ns
→
55/70ns
draft 日期
12月 7, 1996
march 6, 1997
october 9, 1997
二月 17, 1998
九月 8, 1998
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