k6t4008c1b 家族
cmos sram
修订 3.0
九月 1998
4
推荐 直流 运行 情况
1)
便条:
1. 商业的 产品: t一个=0 至 70
°
c, 否则 指定
工业的 产品: t一个=-40 至 85
°
c, 否则 指定
2. 越过: vCC+3.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
30ns
3. undershoot: -3.0v 在 情况 的 脉冲波 宽度
≤
30ns
4. 越过 和 undershoot 是 抽样, 不 100% 测试.
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 Vcc 4.5 5.0 5.5 V
地面 Vss 0 0 0 V
输入 高 电压 VIH 2.2 -
vcc+0.5
2)
V
输入 低 电压 VIL
-0.5
3)
- 0.8 V
电容
1)
(f=1mhz, t一个=25
°
c)
1. 电容 是 抽样, 不 100% 测试
Item 标识 测试 情况 最小值 最大值 单位
输入 电容 C在 V在=0V - 8 pF
输入/输出 电容 CIO VIO=0V - 10 pF
直流 和 运行 特性
Item 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
输入 泄漏 电流 ILI V在=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
输出 泄漏 电流 ILO CS=VIH或者OE=VIH或者我们=VIL, vIO=vss 至 vcc -1 - 1
µ
一个
运行 电源 供应 ICC IIO=0ma,CS=VIL, v在=VIL或者 vIH, 读 - 7.5 15 毫安
平均 运行 电流
ICC1
循环 时间=1
µ
s, 100% 职责, iIO=0mA
CS
≤
0.2v, v在
≥
0.2v 或者 v在
≥
vcc-0.2v
读 - 4 10
毫安
写 - 27 40
ICC2 循环 时间=最小值, 100% 职责, iIO=0ma,CS=Vil,V在=VIH或者 vIL - 65 80 毫安
输出 低 电压 VOL IOL=2.1ma - - 0.4 V
输出 高 电压 VOH IOH=-1.0ma 2.4 - - V
备用物品 电流(ttl) ISB CS=VIH, 其它 输入 = vIL或者 vIH - - 3 毫安
备用物品 电流(cmos) ISB1 CS
≥
vcc-0.2v, 其它 输入=0~vcc
k6t4008c1b-l - 2 100
µ
一个
k6t4008c1b-b - 1 20
µ
一个
k6t4008c1b-p - 2 100
µ
一个
k6t4008c1b-f - 1 50
µ
一个
: 点此下载
