km29u128t, km29u128it flash 记忆
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与非 flash 技术的 注释
(持续)
程序 流动 chart
开始
sr. 6 = 1 ?
写 00h
sr. 0 = 0 ?
非
*
如果 ecc 是 使用, 这个 verification
写 80h
写 地址
写 数据
写 10h
写 70h
写 地址
wait 为 tr 时间
核实 数据
非
程序 完成
或者 r/b = 1 ?
程序 错误
Yes
非
Yes
*
程序 错误
Yes
: 如果 程序 运作 结果 在 一个 错误, 编排 输出
这 块 包含 这 页 在 错误 和 copy 这
目标 数据 至 另一 块.
*
运作 是 不 需要.
错误 在 写 或者 读 运作
在 它的 生命 时间, 这 额外的 invalid blocks 将 出现. 通过 这 tight 处理 控制 和 intensive 测试, samsung mini-
mizes 这 额外的 块 失败 比率, 这个 是 projected 在下 0.1% 向上 直到 1million 程序/擦掉 循环. 谈及 至 这 qualification
report 为 这 真实的 数据.这 下列的 可能 失败 模式 应当 是 考虑 至 执行 一个 高级地 可依靠的 系统.
失败 模式 发现 和 countermeasure sequence
写
擦掉 失败 状态 读 之后 擦掉 --> 块 替换
程序 失败
状态 读 之后 程序 --> 块 替换
读 后面的 ( 核实 之后 程序) --> 块 替换
或者 ecc 纠正
读 单独的 位 失败 核实 ecc -> 块 替换 或者 ecc 纠正
ECC
: 错误 correcting 代号 --> hamming 代号 等
例子) 1bit 纠正 &放大; 2bit 发现
: 点此下载
