©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
KSD882
npn 外延的 硅 晶体管
绝对 最大 比率
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* pw
≤
10ms, 职责 循环
≤
50%
电的 特性
T
C
=25
°
C
除非 否则 指出
* 脉冲波 测试: pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2% 搏动
h
FE
Classificntion
标识 参数 值 单位
V
CBO
集电级- 根基 电压 40 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 30 V
V
EBO
发射级- 根基 电压 5 V
I
C
集电级 电流 (直流) 3 一个
I
CP
*collector 电流 (脉冲波) 7 一个
I
B
根基 电流 0.6 一个
P
C
集电级 消耗 (t
C
=25
°
c) 10 W
P
C
集电级 消耗 (t
一个
=25
°
c) 1 W
T
J
接合面 温度 150
°
C
T
STG
存储 温度 - 55 ~ 150
°
C
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止 电流 V
CB
= 30v, i
E
= 0 1
µ
一个
I
EBO
发射级 截-止 电流 V
EB
= 3v, i
C
= 0 1
µ
一个
h
FE1
h
FE2
*dc 电流 增益 V
CE
= 2v, i
C
= 20ma
V
CE
= 2v, i
C
= 1a
30
60
150
160 400
V
CE
(sat) *collector-发射级 饱和 电压 I
C
= 2a, i
B
= 0.2a 0.3 0.5 V
V
是
(sat) *base-发射级 饱和 电压 I
C
= 2a, i
B
= 0.2a 1.0 2.0 V
f
T
电流 增益 带宽 产品 V
CE
= 5v, i
E
= 0.1a 90 MHz
C
ob
输出 电容 V
CB
= 10v, i
E
= 0
f = 1mhz
45 pF
分类 R O Y G
h
FE2
60 ~ 120 100 ~ 200 160 ~ 320 200 ~ 400
KSD882
音频的 频率 电源 放大器
低 速 切换
• complement 至 ksb772
1
至-126
1. 发射级 2.集电级 3.根基
: 点此下载
