©2000 仙童 半导体 国际的
KSD882
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 电流 增益 带宽 产品
图示 5. 集电级 输出 电容 图示 6. safe 运行 范围
048121620
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
I
B
= 2ma
I
B
= 1ma
I
B
= 3ma
I
B
= 4ma
I
B
= 5ma
I
B
= 6ma
I
B
= 9ma
I
B
= 8ma
I
B
= 10ma
I
B
= 7ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
1e-3 0.01 0.1 1 10
10
100
1000
V
CE
= 2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
1e-3 0.01 0.1 1 10
1e-3
0.01
0.1
1
10
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.01 0.1 1
1
10
100
1000
V
CE
= 5v
f
T
(mhz), 电流 增益 带宽 产品
I
C
[a], 集电级 电流
110100
10
100
1000
I
E
=0
f=1MHz
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
1 10 100
0.01
0.1
1
10
s/b 限制
消耗 限制
1ms
10ms
100us
I
C
最大值 (脉冲波)
I
C
最大值 (直流)
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
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