CAPACITANCE
1
(t
一个
= 25
°
c, f = 1 mhz)
参数 标识 CONDITIONS 最小值 典型值 最大值 单位
Input capacitance C
在
V
在
= 0 v 7 pF
Input/输出放capacitance C
i/o
V
i/O
= 0 v 10 pF
便条:
1. 这个 参数是 sampled 和不 production测试.
数据 保持 chaRACTERISTICS
1
PARAMETER 标识 情况 最小值 最大值 单位 便条
Dat一个 retenti在 voltage V
CCDR
CE
2
≤
0.2 v 或者
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
2.0 5.5 V 2
Dat一个 retenti在 current I
CCDR
V
CCDR
= 3 v,
CE
2
≤
0.2 v 或者
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
T
一个
=
25
°
C
0.2
µ
一个 2, 3
T
一个
=
40
°
C
0.4
µ
一个 2, 3
0.6
µ
一个
2, 3
V
CCDR
= 3 v,
CE
2
≤
0.2 v 或者
CE
1
≥
V
CCDR
- 0.2 v
T
一个
=
25
°
C
0.2
µ
一个
2, 4
T
一个
=
70
°
C
0.6
µ
一个
2, 4
1.5
µ
一个 2, 4
Chip 使不能运转 至 数据 保持 t
CDR
0ns
Recoverytime t
R
t
RC
ns 5
注释:
1.
T
一个
= -10 至 +70
°
c (lh5164a/ad/一个/在), t
一个
= -40 至+85
°
c (lh5164ah/ahd/ahn/aht)
2.
CE
2
应当是
≥
V
CCDR
- 0.2 v 或者
≤
0.2 v 当CE
1
≥
V
CCDR
– 0.2 v
3. lh5164a/ad/一个/在
4. lh5164ah/ahd/ahn/aht
5. t
RC
= 读 循环 时间
cmos 64k (8k
×
8) 静态的 内存 LH5164a/ah
5