(2) 写 cycLE
1
(v
CC
= 5 v
±
10%)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
Write cycle 时间
t
WC
100 ns
Chip enable至终止的write
t
CW
80 ns
增加ress valid 时间
t
AW
80 ns
增加ress setup time t
作
0ns
Write 脉冲波 宽度 t
WP
60 ns
Write recovery 德州仪器me t
WR
10 ns
输出放交流tive 从 终止 的 写 t
OW
10 ns 2
我们低至output 在High-Z t
WHZ
030ns2
Dat一个 valid 至 终止 的 write t
DW
30 ns
Dat一个 支撑 时间 t
DH
10 ns
输出放enable 至 输出 在 高-z t
OHZ
040ns2
输出放交流tive 从 终止 的 写 t
OW
10 ns 2
注释:
1.
T
一个
=0 至 +70
°
c (lh5116/d/na), t
一个
= -40 至 +85
°
c (lh5116h/hd/hn)
2.
起作用的 输出至高-impedance 和高-impedance 至 输出 起作用的 tests指定 为一个
±
200 mv 转变
从稳步的 state levels into这 测试加载.
交流 测试 情况
参数 模式 便条
Inputvoltage振幅 0.8 v 至 2.2 v
Inputrise/f所有时间 10 ns
德州仪器最小值g reference level 1.5 v
输出 loadcondition 1ttl + c
L
(100 pf) 1
便条:
1. 包含 scope 和 jig capacitance.
数据 保持 chaRACTERISTICS
1
参数 标识 CONDITIONS 最小值 典型值 最大值 单位 便条
Dat一个 retenti在 voltage V
CCDR
CE
≥
V
CCRC
- 0.2 v
2.0 5.5 V
Dat一个 retenti在 current
I
CCDR
CE
≥
V
CCDR
- 0.2 v,
V
CCDR
= 2.0 v
1.0
µ
一个
0.2 2
Chip 使不能运转 至 数据
retention
t
CDR
0ns
Recoverytime t
R
t
RC
ns 3
注释:
1.
T
一个
=0 至+70
°
c (lh5116/d/na), t
一个
= -40 至 +85
°
c (lh5116h/hd/hn)
2.
T
一个
= 25
°
C
3. t
RC
= 读 循环 时间
CAPACITANCE
1
(f = 1 mhz, t
一个
= 25
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
Input capacitance C
在
V
在
= 0 v 7 pF
Input/输出放capacitance C
i/o
V
i/o
= 0 v 10 pF
便条:
1. 这个 参数是 sampled 和不 production测试.
LH5116/h cmos 16k (2K
×
8) 静态的 内存
4
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