sbvs045 − march 2004
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电的 特性 (持续)
在推荐 运行 接合面 温度 范围, v
i(in1)
= v
i(in2)
= 5.5 v, r
ILIM
= 400
Ω
(除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
电流 限制 电路
TPS2112A
R
ILIM
= 400
Ω
0.51 0.63 0.80
电流 限制 精度
TPS2112A
R
ILIM
= 700
Ω
0.30 0.36 0.50
一个电流 限制 精度
TPS2113A
R
ILIM
= 400
Ω
0.95 1.25 1.56
一个
TPS2113A
R
ILIM
= 700
Ω
0.47 0.71 0.99
t
d
电流 限制 安排好 时间
(1)
时间 为 短的-电路 输出 电流 至
settle 在里面 10% 的 它的 稳步的 状态 值.
1 ms
输入 电流 在 ilim V
i(ilim)
= 0 v, i
o(输出)
= 0 一个 −15 0
µ
一个
(1)
不 测试 在 生产.
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
vsns 比较器
vsns 门槛 电压
V
i(vsns)
↑
0.78 0.8 0.82
Vvsns 门槛 电压
V
i(vsns)
↓
0.735 0.755 0.775
V
vsns 比较器 hysteresis
(1)
30 60 mV
deglitch 的 vsns 比较器 (两个都
↑↓
)
(1)
90 150 220
µ
s
输入 电流 0 v
≤
V
i(vsns)
≤
5.5 v −1 1
µ
一个
UVLO
in1 和 in2 uvlo
下落 边缘 1.15 1.25
Vin1 和 in2 uvlo
rising 边缘 1.30 1.35
V
in1 和 in2 uvlo hysteresis
(1)
30 57 65 mV
内部的 v
DD
uvlo (这 高等级的 的 in1 和 in2)
下落 边缘 2.4 2.53
V内部的 v
DD
uvlo (这 高等级的 的 in1 和 in2)
rising 边缘 2.58 2.8
V
内部的 v
DD
uvlo hysteresis
(1)
30 50 75 mV
uvlo deglitch 为 in1, in2
(1)
下落 边缘 110
µ
s
(1)
不 测试 在 生产.
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
反转 传导 blocking
∆
V
o(i_块)
最小 输出-至-输入 电压
区别 至 块 切换
EN= 高, v
i(in1)
= 3.3 v 和 v
i(in2)
= v
i(vsns)
=
0 v. 连接 输出 至 一个 5 v 供应 通过 一个 序列
1-k
Ω
电阻. let en= 低. 慢速地 decrease 这
供应 电压 直到 输出 connects 至 in1.
80 100 120 mV
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
热的 关闭
热的 关闭 门槛
(1)
TPS211xA是 在 电流 限制. 135
恢复 从 热的 关闭
(1)
TPS211xA是 在 电流 限制. 125
°
C
Hysteresis
(1)
10
C
in2−in1 comparators
hysteresis 的 in2−in1 比较器 0.1 0.2 V
deglitch 的 in2−in1 比较器 (两个都
↑↓
)
(1)
10 20 50
µ
s
(1)
不 测试 在 生产.
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