sbvs045 −march 2004
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6
真实 表格
EN
V
i(vsns)
> 0.8v V
i(in2)
> v
i(in1)
STAT 输出
(1)
Yes X 0 IN1
0
非 非 0 IN1
0
非 Yes hi-z IN2
1 X X 0 hi-z
X
= don’t 小心.
(1)
这 下面-电压 lockout 电路 导致 这 输出 输出 至 go hi-z 如果 这
选择 power 供应 做 不 超过 这 in1/in2 uvlo, 或者 如果 neither 的
这 供应 超过 这 内部的 v
DD
uvlo.
终端 功能
终端
i/o 描述
名字 非.
i/o 描述
EN 2 I EN是 一个 ttl- 和 cmos-兼容 输入 和 一个 1-
µ
一个 拉-向上. 这 真实 表格 显示 在之上 illustrates 这 符合实际
的 en.
地 5 I 地面
IN1 8 I primary 电源 转变 输入. 这 in1 转变 能 是 使能 仅有的 如果 这 in1 供应 是 在之上这 uvlo 门槛 和 在
least 一个 供应 超过 这 内部的 v
DD
uvlo.
IN2 6 I secondary 电源 转变 输入. 这 in2 转变 能 是 使能 仅有的 如果 这 in2 供应 是 在之上 这 uvlo 门槛 和
在 least 一个 供应 超过 这 内部的 v
DD
uvlo.
ILIM 4 I 一个 电阻 r
ILIM
从 ilim 至 地 sets 这 电流 限制 i
L
至 250/r
ILIM
和 500/r
ILIM
为 这 tps2112a 和 tps2113a,
各自.
输出 7 O 电源转变 输出
STAT 1 O stat 是 一个 打开-流 输出 那 是 hi-z 如果 这 in2 转变 是 在. stat pulls 低 如果 这 in1 转变 是 在 或者 如果 输出 是 hi-z
(i.e., en是 equal 至 逻辑 0)
VSNS 3 I 一个 内部的 电源 场效应晶体管 connects 输出 至 in1 如果 这 vsns 电压 是 更好 比 0.8 v.否则, 这 场效应晶体管 connects 输出
至 这 高等级的 的 in1 和 in2. 这 真实 表格 显示 在之上 illustrates 这 符合实际 的 vsns.
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