绝对 最大 比率
(t
一个
e
25
c)
如果 MilitaryAerospace 指定 设备 是 required 请 联系 这 国家的 半导体 销售 Office
分发 为 有效性 和 specifications
LM3045 LM3046LM3086
各自 总的 各自 总的 单位
晶体管 包装 晶体管 包装
电源 Dissipation
T
一个
e
25
C 300 750 300 750 mW
T
一个
e
25
Cto55
C 300 750 mW
T
一个
l
55
C 减额 在 667 mW
C
T
一个
e
25
Cto75
C 300 750 mW
T
一个
l
75
C 减额 在 8 mW
C
集电级 至 发射级 Voltage V
CEO
15 15 V
集电级 至 根基 Voltage V
CBO
20 20 V
集电级 至 基质 Voltage V
CIO
(便条 1) 20 20 V
发射级 至 根基 Voltage V
EBO
55V
集电级 Current I
C
50 50 毫安
运行 温度 范围
b
55
Cto
一个
125
C
b
40
Cto
一个
85
C
存储 温度 范围
b
65
Cto
一个
150
C
b
65
Cto
一个
85
C
焊接 信息
双-在-线条 包装 焊接 (10 sec) 260
C 260
C
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215
C
Infrared (15 秒) 220
C
看 一个-450 ‘‘Surface 挂载 方法 和 它们的 效应 在 产品 Reliability’’ 为 其它 方法 的 焊接 表面 挂载
devices
电的 特性
(t
一个
e
25
C 除非 否则 指定)
限制 限制
参数 情况 LM3045 LM3046 LM3086 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
集电级 至 根基 损坏 电压 (v
(br)cbo
)i
C
e
10
m
A I
E
e
0 2060 2060 V
集电级 至 发射级 损坏 电压 (v
(br)ceo
)i
C
e
1 mA I
B
e
0 1524 1524 V
集电级 至 基质 损坏 I
C
e
10
m
A I
CI
e
0
20 60 20 60 V
电压 (v
(br)cio
)
发射级 至 根基 损坏 电压 (v
(br)ebo
)i
E
10
m
A I
C
e
05757V
集电级 截止 电流 (i
CBO
)v
CB
e
10V I
E
e
0 0002 40 0002 100 nA
集电级 截止 电流 (i
CEO
)v
CE
e
10V I
B
e
0 05 5
m
一个
静态的 向前 电流 转移 V
CE
e
3V
I
C
e
10 毫安
100 100
比率 (静态的 beta) (h
FE
)
I
C
e
1 毫安 40 100 40 100
I
C
e
10
m
一个
54 54
输入 补偿 电流 为 Matched V
CE
e
3V I
C
e
1mA
03 2
m
一个
一双 Q
1
和 Q
2
l
I
O1
b
I
IO2
l
根基 至 发射级 电压 (v
是
)v
CE
e
3V
I
E
e
1mA
0715 0715
V
I
E
e
10 毫安
0800 0800
巨大 的 输入 补偿 电压 为 V
CE
e
3V I
C
e
1mA
045 5 mV
差别的 一双
l
V
BE1
b
V
BE2
l
巨大 的 输入 补偿 电压 为 分开的 V
CE
e
3V I
C
e
1mA
晶体管
l
V
BE3
b
V
BE4
l
l
V
BE4
b
V
BE5
l
045 5 mV
l
V
BE5
b
V
BE3
l
温度 系数 的 根基 至 V
CE
e
3V I
C
e
1mA
发射级 电压
D
V
是
D
T
J
b
19
b
19 mV
C
集电级 至 发射级 饱和 电压 (v
ce(sat)
)i
B
e
1 mA I
C
e
10 毫安 023 023 V
温度 系数 的 V
CE
e
3V I
C
e
1mA
输入 补偿 电压
D
V
10
D
T
J
11
m
V
C
便条 1
这 集电级 的 各自 晶体管 的 这 LM3045 LM3046 和 LM3086 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral diode 这 基质 (终端 13) 必须
是 连接 至 这 大多数 负的 要点 在 这 外部 电路 至 维持 分开 在 晶体管 和 至 提供 为 正常的 晶体管 action
2
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