电的 特性
(持续)
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
低 频率 噪音 图示 (nf) f
e
1 kHz V
CE
e
3V
325 dB
I
C
e
100
m
A R
S
e
1k
X
低 FREQUENCY 小 信号 相等的 电路 特性
向前 电流 转移 比率 (h
fe
)f
e
1 kHz V
CE
e
3V 110 (lm3045 lm3046)
I
C
e
1 毫安 (lm3086)
短的 电路 输入 Impednace (h
ie
) 35 k
X
打开 电路 输出 阻抗 (h
oe
) 156
m
mho
打开 电路 反转 电压 转移 比率 (h
re
) 18x10
b
4
ADMITTANCE 特性
向前 转移 Admittance (y
fe
)f
e
1 MHz V
CE
e
3V 31
b
j 15
输入 Admittance (y
ie
)
I
C
e
1mA
03
一个
J 004
输出 Admittance (y
oe
) 0001
一个
j 003
反转 转移 Admittance (y
re
) 看 曲线
增益 带宽 产品 (f
T
)v
CE
e
3V I
C
e
3 毫安 300 550
发射级 至 根基 电容 (c
EB
)v
EB
e
3V I
E
e
0 06 pF
集电级 至 根基 电容 (c
CB
)v
CB
e
3V I
C
e
0 058 pF
集电级 至 基质 电容 (c
CI
)v
CS
e
3V I
C
e
0 28 pF
典型 效能 特性
温度 为 各自
截止 电流 vs 包围的
典型 集电级 至 根基
晶体管
温度 为 各自
截止 电流 vs 包围的
典型 集电级 至 发射级
晶体管
Beta 比率 为 晶体管 Q
1
和 Q
2
vs 发射级 电流
电流-转移 比率 和
典型 静态的 向前
TLH7950–2
Q
1
Q
2
vs 集电级 电流
为 Matched 晶体管 一双
典型 输入 补偿 电流 补偿 电压 为 差别的
电压 典型的 和 输入
典型 静态的 根基 至 发射级
晶体管 vs 发射级 电流
一双 和 Paired 分开的
TLH7950–3
3
: 点此下载
