典型 效能 特性
(持续)
延迟 时间 vs 温度 RDSON vs 供应 电压
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UVLO 门槛 和 Hysteresis vs 温度
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详细地 运行 描述
LM5111 双 门 驱动器 组成 的 二 独立 和
完全同样的 驱动器 途径 和 TTL 兼容 逻辑 输入
和 高 电流 totem-柱子 输出 那 源 或者 下沉
电流 至 驱动 场效应晶体管 门. 这 驱动器 输出 组成 的
一个 复合 结构 和 MOS 和 双极 晶体管 oper-
ating 在 并行的 至 优化 电流 能力 在 一个 宽
输出 电压 和 运行 温度 范围. 这 双极
设备 提供 高 顶峰 电流 在 这 核心的 门槛
区域 的 这 场效应晶体管 VGS 当 这 MOS 设备 提供
栏杆-至-栏杆 输出 摆动. 这 totem 柱子 输出 驱动 这
场效应晶体管 门 在 这 门 驱动 供应 电压 V
CC
和 这 电源 地面 潜在的 在 这 V
EE
管脚.
这 控制 输入 的 这 驱动器 是 高 阻抗 CMOS
缓存区 和 TTL 兼容 门槛 电压. 这 LM5111
引脚 是 设计 为 兼容性 和 工业 标准
门 驱动器 在 单独的 供应 门 驱动器 产品.
这 二 驱动器 途径 的 这 LM5111 是 设计 作
完全同样的 cells. 晶体管 相一致 固有的 至 整体的
电路 制造 确保 那 这 交流 和 直流 pe-
formance 的 这 途径 是 nearly 完全同样的. Closely
matched 传播 延迟 准许 这 双 驱动器 至 是
运作 作 一个 单独的 和 输入 和 输出 管脚 连接.
这 驱动 电流 能力 在 并行的 运作 是 precisely
2X 这 驱动 的 一个 单独的 频道. 小 differences 在
切换 速 在 这 驱动器 途径 将 生产 一个
瞬时 电流 (shoot-通过) 在 这 输出 平台 当
二 输出 管脚 是 连接 至 驱动 一个 单独的 加载. 这
效率 丧失 为 并行的 运作 有 被 典型
在 各种各样的 负载, 供应 电压 和 运行 发生率.
这 电源 消耗 在 这 LM5111 增加 是 较少 比
1% 相关的 至 这 双 驱动器 配置 当 运作 作
一个 单独的 驱动器 和 输入/ 输出 连接.
一个 下面 电压 锁 输出 (uvlo) 电路 是 包含 在 这
LM5111 , 这个 senses 这 电压 区别 在 V
CC
和 这 碎片 地面 管脚, V
EE
. 当 这 V
CC
至 V
EE
电压
区别 falls 在下 2.8v 两个都 驱动器 途径 是 无能.
这 UVLO hysteresis 阻止 chattering 在 褐色-输出
情况 和 这 驱动器 将 重新开始 正常的 运作 当
这 V
CC
至 V
EE
差别的 电压 超过 大概
3.0v.
这 LM5111 是 有 在 双 非-反相的 (-1), 双
反相的 (-2) 和 这 结合体 反相的 加 非-
反相的 (-3) 配置. 所有 三 配置 是 的-
fered 在 这 soic-8 塑料 包装.
LM5111
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