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资料编号:451727
 
资料名称:LM5111-1M
 
文件大小: 205.51K
   
说明
 
介绍:
Dual 5A Compound Gate Driver
 
 


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热的 效能
(持续)
我们 know 接合面 温度
T
J
=P
D
x
θ
JA
+T
一个
或者 上升 温度
T
上升
=T
J
−T
一个
=P
D
x
θ
JA
soic-8 包装
θ
JA
estimated 170˚c/w
情况 自然的 convection.
因此 T
上升
equal
T
上升
= 0.236 x 170 = 40.1˚c
持续的 电流 比率 LM5111
LM5111 deliver 搏动 源/下沉 电流 3A
5A 电容的 负载. 产品 需要 continu-
ous 加载 电流 (resistive 或者 inductive 负载), 包装
电源 消耗, 限制 LM5111 电流 能力 far
在下 5A 下沉/3a 能力. 评估 持续的
电流 estimated 两个都 sourcing 电流 或者
sinking 电流 加载. 例子 sinking,
最大 下沉 电流 计算 作:
在哪里 R
DS
(在) 阻抗 更小的 场效应晶体管
输出 平台 lm5111.
考虑 T
J
(最大值) 125˚C
θ
JA
170˚c/w 一个 所以-8
包装 下面 情况 自然的 convection 空气
流动. 如果 包围的 温度 (t
一个
) 60˚c, R
D
-
S
(在) LM5111 输出 T
J
(最大值) 2.5
, 这个 等式
产量 I
下沉
(最大值) 391mA 这个 5A
顶峰 搏动 电流.
similarly, 最大 持续的 电流
计算
在哪里 V
二极管
电压 漏出 横过 混合的 输出 平台
这个 varies 温度 assumed
关于 1.1v T
J
(最大值) 125˚c. 假设 一样 param-
eters 在之上, 这个 等式 产量 I
(最大值) 347ma.
LM5111
www.国家的.com9
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