lmv321/lmv358/lmv324 DATA薄板
rev. 1 十一月 2002
3
绝对 最大 比率
Parameter 最小值 最大值 单位
供应 电压 0+6V
最大 接合面 温度 – +175 °C
存储 温度 范围 -65 +150 °C
含铅的 温度, 10 秒 – +260 °C
输入 电压 范围 -
V
s
-0.5 +V
s
+0.5
V
电的 规格
(t
c
= 25°c, v
s
= +2.7v, g = 2, r
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2, r
f
= 10k
Ω
, v
o (直流)
= v
cc
/2; 除非 否则 指出)
Parameter 情况 最小值 典型值 最大值 单位
交流Performance
增益 带宽 产品 C
L
= 50pf, R
L
=2k
Ω
至 V
s
/2 1.2 mhz
阶段 余裕 52 deg
增益 余裕 17 dB
回转 比率 V
o
= 1v
pp
1.5 v/
µ
s
输入 电压 噪音 >50khz 36 nv/
√
Hz
串扰: LMV358 100kHz 91 dB
LMV324 100kHz 80 dB
直流 效能
输入 补偿 电压
1
1.7 7 mV
Average 逐渐变化 8
µ
v/°c
输入 偏差 电流
2
<1 nA
输入 补偿 电流
2
<1 nA
Power 供应 拒绝 比率
1
直流 50 65 dB
供应 电流 (每 频道)
1
80 120
µ
一个
输入 特性
输入 一般 模式 电压 范围
1
LO 0 -0.25 V
HI 1.5 1.3 V
一般 模式 拒绝 比率
1
50 70 dB
输出 特性
输出 电压 摆动 R
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2; LO
1
0.1 0.01 V
R
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2; HI
1
2.69 2.6 V
最小值/最大值 比率 是 为基础 在 产品 描绘 和 simulation. 单独的 参数 是 测试 作 指出. 优于 质量水平 是
决定 从 测试 参数.
注释:
1. 有保证的 用 测试 或者 statistical 分析 在 +25°c.
2. +in 和 -在 是 门 至 cmos 晶体管 和 典型 输入 偏差 电流 的 <1na. cmos 泄漏 是 too 小 至 practicallymeasure.
推荐 运行 情况
Parameter 最小值 最大值 单位
运行 温度 范围 -40 +125 °C
Power 供应 运行 范围 2.5 5.5 V
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