DATA薄板 lmv321/lmv358/lmv324
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rev. 1 十一月 2002
电的 规格
(t
c
= 25°c, v
s
= +5v, g = 2, r
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2, r
f
= 10k
Ω
, v
o (直流)
= v
cc
/2; 除非 否则 指出)
Parameter 情况 最小值 典型值 最大值 单位
交流Performance
增益 带宽 产品 C
L
= 50pf, R
L
=2k
Ω
至 V
s
/2 1.4 mhz
阶段 余裕 73 deg
增益 余裕 12 dB
回转 比率 1.5 v/
µ
s
输入 电压 噪音 >50khz 33 nv/
√
Hz
串扰: LMV358 100kHz 91 dB
LMV324 100kHz 80 dB
直流 效能
输入 补偿 电压
1
17mV
Average 逐渐变化 6
µ
v/°c
输入 偏差 电流
2
<1 nA
输入 补偿 电流
2
<1 nA
Power 供应 拒绝 比率
1
直流 50 65 dB
打开 循环 增益
1
50 70 dB
供应 电流 (每 频道)
1
100 150
µ
一个
输入 特性
输入 一般 模式 电压 范围
1
LO 0 -0.4 V
HI 3.8 3.6 V
一般 模式 拒绝 比率
1
50 75 dB
输出 特性
输出 电压 摆动 R
L
= 2k
Ω
至 v
s
/2; lo/hi
0.036 至 4.95
V
R
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2; LO
1
0.1 0.013 V
R
L
= 10k
Ω
至 v
s
/2; HI
1
4.98 4.9 v
短的 电路 输出 电流
1
sourcing; V
o
= 0v 5 +34 毫安
sinking; V
o
= 5v 10 -23 毫安
最小值/最大值 比率 是 为基础 在 产品 描绘 和 simulation. 单独的 参数 是 测试 作 指出. 优于 质量水平 是
决定 从 测试 参数.
注释:
1. 有保证的 用 测试 或者 statistical 分析 在 +25°c.
2. +in 和 -在 是 门 至 cmos 晶体管 和 典型 输入 偏差 电流 的 <1na. cmos 泄漏 是 too 小 至 practicallymeasure.
Package 热的阻抗
包装
θ
JA
5 含铅的 sc70 331.4°c/w
5 含铅的 sot23 256°c/w
8 含铅的 soic 152°c/w
8 含铅的 msop 206°c/w
14 含铅的 tssop 100°c/w
14 含铅的 soic 88°c/w
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