M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
10
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
simplified 真实 表格
COMMAND cken-1 CKEn
CS RAS CAS 我们
DQM BA a10/ap A9~A0 便条
寄存器 模式 寄存器 设置 H X L L L L X 运算 代号 1,2
自动 refresh H 3
Entry
H
L
LL L H X X
3
LHHH 3
Refresh
自 refresh
Exit L H
HXXX
XX
3
bank 起作用的 &放大; 行 地址. H X L L H H X V 行 地址
自动 precharge 使不能运转
L
4
读 &放大;
Column地址ess
自动 precharge 使能
HXLHLHXV
H
Column
地址
(a0~a7)
4,5
自动 precharge 使不能运转
L4
写 &放大; column
地址
自动 precharge 使能
HXLHLLXV
H
Column
地址
(a0~a7)
4,5
burst 停止 H X L H H L X X 6
bank 选择 V L 4
Precharge
两个都 banks
HXLLHLX
XH
X
4
HXXX
Entry H L
LVVV
X时钟 suspend 或者
起作用的 电源 向下
Exit L HXXXXX
X
HXXX
Entry H L
LHHH
X
HXXX
precharge 电源 向下 模式
Exit L H
LVVV
X
X
DQM H X V X 7
H HXXX
非 运作 command
H
X
LHHH
XX
(v= 有效的, x= don’t care, h= 逻辑 高 , l = 逻辑 low)
便条:1 运算 代号: 运作 代号
a0~ a10/ap, ba: program keys.(@mrs)
2. mrs 能 是 issued 仅有的 在 两个都 banks precharge 状态.
一个 新 command 能 是 issued 之后 2 时钟 循环 的 mrs.
3. 自动 refresh 功能 是 作 一样 作 cbr refresh 的 dram.
这 automatical precharge 没有 行 precharge command 是 meant 用 “auto”.
自动 / 自 refresh 能 是 issued 仅有的 在 两个都 banks precharge 状态.
4. ba: bank 选择 地址ess.
如果 “low”: 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank 一个 是 selected.
如果 “high”: 在 读, 写, 行 起作用的 和 precharge, bank b 是 selected.
如果 a10/ap 是 “high” 在 行 precharge, ba ignored 和 两个都 banks 是 选择.
5.在 burst 读 或者 写 和 自动 precharge, 新 读/写 command 能 不 是 issued.
另一 bank 读 /写 command 能 是 issued 之后 这 终止 的 burst.
新 行 起作用的 的 这 有关联的 bank 能 是 issued 在
t
RP
之后 the end 的 burst.
6.burst 停止 command 是 有效的 在 总是y burst 长度.
7.dqm 抽样 在 positive going 边缘 的 一个 clk masks 这 数据-在 在 这 非常 clk (写 dqm latency 是 0), 但是
制造
hi-z 状态 这 数据-输出 的 2 clk 循环 之后. (读 dqm latency 是 2)
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