M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
8
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
模式 寄存器
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
0 0 0 0 1 电子元件工业联合会 标准 测试 设置 (refresh 计数器 测试)
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
x x 1 0 0 LTMODE WT BL burst 读 一个d single 写 (为Write
通过 cache)
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
1 0 使用 在 future
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
x x x 1 1 v v v v v v v vender 明确的
11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 v =有效的
0 0 0 0 0 LTMODE WT BL 模式 寄存器 设置 x =don’t 小心
bit2-0 WT=0 WT=1
000 1 1
001 2 2
010 4 4
011 8 8
100 R R
101 R R
110 R R
burst 长度
111 全部 页 R
0 Sequential
wrap 类型
1 Interleave
bits6-4
CAS Latency
000 R
001 R
010 2
011 3
100 R
101 R
110 R
latency 模式
111 R
模式 寄存器 写 定时
remark r : reserved
ModeRegister写
CLOCK
CKE
CS
RAS
我们
a0-a11
CAS