M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
4
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t
一个
= 0 至 70
C
°
V
IH
(最小值)/v
IL
(最大值)=2.0v/0.8v)
版本
参数 标识 测试 情况
CAS
Latency
-4.3 -5 -5.5 -6 -7 -8
单位 便条
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
I
CC1
burst 长度 = 1
t
RC
≥
t
RC
(最小值),
t
CC
≥
t
CC
(最小值), i
OL
= 0ma
250 230 210 190 160 140 毫安 1
I
CC2
P
CKE
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=15ns
2
毫安
precharge 备用物品
电流 在 电源-向下
模式
I
CC2
PS
CKE
≤
V
IL
(最大值), clk
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=
∞
2
I
CC2
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), CS
≥
V
IH
(最小值),
t
CC
=15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
30 毫安
precharge 备用物品
电流 在 非 电源-
向下 模式
I
CC2
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
2mA
I
CC3
P
CKE
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=15ns
10
起作用的 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
I
CC3
PS
CKE
≤
V
IL
(最大值), clk
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=
∞
10
毫安
I
CC3
N
CKE
≥
V
IH
(最小值), CS
≥
V
IH
(最小值),
t
CC
=15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
40 毫安
起作用的 备用物品 电流
在 非 电源-向下
模式
(一个 bank 起作用的)
I
CC3
NS
CKE
≥
V
IH
(最小值), clk
≤
V
IL
(最大值),
t
CC
=
∞
输入 信号 是 稳固的
10 毫安
3 270 250 230 210 180 160
毫安 1
运行 电流
(burst 模式)
I
CC
4
I
OL
= 0ma, 页 burst
所有 带宽 使活动,
t
CCD
=
t
CCD
(最小值)
2 270 250 230 210 180 160
refresh 电流
I
CC
5
t
RC
≥
t
RC
(最小值)
270 250 230 210 180 160 毫安 2
自 refresh 电流
I
CC
6CKE
≤
0.2v 1 毫安
便条:
1.量过的 和 输出 打开. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在
t
CC
(最小值).
2.refresh 时期 是 32ms. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在
t
CC
(最小值).
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