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手机版
资料编号:46093
资料名称:
ADG723BRM
文件大小: 204.61K
说明
:
介绍
:
CMOS Low Voltage 4 ohm Dual SPST Switches
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
–3–
rev. 0
adg721/adg722/adg723
(v
DD
= +3 v
10%, 地 = 0 v. 所有 规格 –40
c 至 +85
c,
除非 否则 指出.)
规格
1
b 版本
–40
c 至
参数
+25
C
+85
C
单位
测试 情况/comments
相似物 转变
相似物 信号 范围
0 v 至 v
DD
V
在 阻抗 (r
在
)
6.5
Ω
典型值
V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
10
Ω
最大值
测试 电路 1
在 阻抗 相一致 在
途径 (
∆
R
在
)
0.3
Ω
典型值
V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
1.0
Ω
最大值
在-阻抗 flatness (r
flat(在)
)
3.5
Ω
典型值
V
S
= 0 v 至 v
DD
, i
S
= –10 毫安
泄漏 电流
V
DD
= +3.3 v
源 止 泄漏 i
S
(止)
±
0.01
na 典型值
V
S
= 3 v/1 v, v
D
= 1 v/3 v
±
0.25
±
0.35
na 最大值
测试 电路 2
流 止 泄漏 i
D
(止)
±
0.01
na 典型值
V
S
= 3 v/1 v, v
D
= 1 v/3 v
±
0.25
±
0.35
na 最大值
测试 电路 2
频道 在 泄漏 i
D
, i
S
(在)
±
0.01
na 典型值
V
S
= v
D
= 1 v, 或者 3 v
±
0.25
±
0.35
na 最大值
测试 电路 3
数字的 输入
输入 高 电压, v
INH
2.0
v 最小值
输入 低 电压, v
INL
0.4
v 最大值
输入 电流
I
INL
或者 i
INH
0.005
µ
一个 典型值
V
在
= v
INL
或者 v
INH
±
0.1
µ
一个 最大值
动态 特性
2
t
在
16
ns 典型值
R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35 pf
24
ns 最大值
V
S
= 2 v, 测试 电路 4
t
止
7
ns 典型值
R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35 pf
11
ns 最大值
V
S
= 2 v, 测试 电路 4
破裂-在之前-制造 时间 延迟, t
D
7
ns 典型值
R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35 pf,
(adg723 仅有的)
1
ns 最小值
V
S1
= v
S2
= 2 v, 测试 电路 5
承担 injection
2
pc 典型值
V
S
= 1.5 v; r
S
= 0
Ω
, c
L
= 1 nf,
测试 电路 6
止 分开
–60
db 典型值
R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz
–80
db 典型值
R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz,
测试 电路 7
频道-至-频道 串扰
–77
db 典型值
R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 10 mhz
–97
db 典型值
R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf, f = 1 mhz,
测试 电路 8
带宽 –3 db
200
mhz 典型值
R
L
= 50
Ω
, c
L
= 5 pf,
测试 电路 9
C
S
(止)
7
pf 典型值
C
D
(止)
7
pf 典型值
C
D
, c
S
(在)
18
pf 典型值
电源 (所需的)东西
V
DD
= +3.3 v
数字的 输入 = 0 v 或者 3 v
I
DD
0.001
µ
一个 典型值
1.0
µ
一个 最大值
注释
1
温度 范围 是 作 跟随:
b 版本, –
40
°
c 至 +85
°
c.
2
有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
规格 主题 至 改变 没有 注意.
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