8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54526p/fp
7-单位 500ma darlington 晶体管 排列 和 clamp 二极管
推荐 运行 情况
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
集电级-发射级 损坏 电压
夹紧 二极管 向前 电压
夹紧 二极管 反转 电流
直流 放大器 因素
V
V
µ
一个
—
I
I
V
V
V
参数
—
—
—
0
8
0
50
25
0.5
限制
最小值 典型值 最大值
标识 单位
I
C
0
0
—
—
400
200
毫安
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值
+
最大值
50
—
—
—
—
—
—
1000
—
1.3
0.95
0.9
2.8
1.5
—
2500
—
2.4
1.6
1.5
4.1
2.4
100
—
V
毫安
+
: 这 典型 值 是 那些 量过的 下面 包围的 温度 (ta) 的 25
°
c. 那里 是 非 保证 那 这些 值 是 得到 下面 任何
情况.
ns
ns
—
—
12
230
—
—
标识 单位参数 测试 情况
限制
最小值 典型值 最大值
定时 图解便条 1 测试 电路
PG
50
Ω
C
L
量过的 设备
打开
V
O
R
L
输入
输出
(1) 脉冲波 发生器 (pg) 特性 : prr = 1khz,
tw = 10
µ
s, tr = 6ns, tf = 6ns, z
O
= 50
Ω
V
P
= 8v
p-p
(2) 输入-输出 情况 : r
L
= 25
Ω
, v
O
= 10v
(3) 静电的 capacity c
L
包含 floating 电容 在
连接 和 输入 电容 在 探查
ton
50% 50%
50% 50%
toff
输入
输出
“h” 输入 电压
“l” 输入 电压
V
O
V
IH
V
IL
输出 电压
集电级 电流
(电流 每 1 cir-
cuit 当 7 电路
是 coming 在 si-
multaneously)
职责 循环
p : 非 更多 比 8%
fp : 非 更多 比 6%
职责 循环
p : 非 更多 比 30%
fp : 非 更多 比 25%
I
CEO
= 100
µ
一个
V
I
= 8v, i
C
= 400ma
V
I
= 8v, i
C
= 200ma
V
I
= 10v
V
I
= 25v
I
F
= 400ma
V
R
= 50v
V
CE
= 4v, i
C
= 350ma, ta = 25
°
C
V
(br) ceo
V
F
I
R
h
FE
V
ce (sat)
集电级-发射级 饱和 电压
输入 电流
电的 特性
(除非 否则 指出, ta = –20 ~ +75
°
c)
切换 特性
(除非 否则 指出, ta = 25
°
c)
转变-在 时间
转变-止 时间
t
在
t
止
C
L
= 15pf (便条 1)
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