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8月. 1999
mitsubishi 半导体 <晶体管 排列>
m54526p/fp
7-单位 500ma darlington 晶体管 排列 和 clamp 二极管
直流 放大器 因素
集电级 电流 特性
集电级 电流  ic (毫安)
10
1
10
3
V
CE
= 4v
ta = 25°c
ta = 75°c
ta = –20°c
5
3
2
7
5
3
2
7
10
4
10
3
10
2
23 57 23 57
10
2
直流 放大器 因素  h
FE
输入 特性
输入 电压  v
I
(v)
0
1
ta = 25°c
ta = 75°c
ta = –20°c
2
3
4
0
5 10152025
输入 电流  i
I
(毫安)
夹紧 二极管 特性
ta = 25°c
ta = 75°c
ta = –20°c
向前 偏差 电流  i
F
(毫安)
grounded 发射级 转移 特性
输入 电压  v
I
(v)
0
ta = 75°c
ta = 25°c
ta = –20°c
100
200
300
400
500
0
1234
向前 偏差 电压  v
F
(v)
0
100
200
300
400
500
0
0.5 1.0 1.5 2.0
集电级 电流  ic (毫安)

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8月. 1999 mitsubishi 半导体 <晶体管排列> m54526p/fp 7-单位 500ma darlington 晶体管排列和 clamp 二极管直流放大器因素集电级电流特性集电级电流 ic (毫安) 10 1 10 3 V CE = 4v ta = 25°c ta = 75°c ta = –20°c 5 3 2 7 5 3 2 7 10 4 10 3 10 2 23 57 23 57 10 2 直流放大器因素 h FE 输入特性输入电压 v I (v) 0 1 ta = 25°c ta = 75°c ta = –20°c 2 3 4 0 5 10152025 输入电流 i I (毫安) 夹紧二极管特性 ta = 25°c ta = 75°c ta = –20°c 向前偏差电流 i F (毫安) grounded 发射级转移特性输入电压 v I (v) 0 ta = 75°c ta = 25°c ta = –20°c 100 200 300 400 500 0 1234 向前偏差电压 v F (v) 0 100 200 300 400 500 0 0.5 1.0 1.5 2.0 集电级电流 ic (毫安)

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