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资料编号:473266
 
资料名称:MBD301
 
文件大小: 54.43K
   
说明
 
介绍:
Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
 
 


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  浏览型号MBD301的Datasheet PDF文件第1页
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
g16–2/2
MMBD301LT1
I
F
, 向前 电流 (毫安)
I
R
, 反转 泄漏 (
µ
一个)
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 3.0 6.0 9.0 12 15 18 21 24 27 30
500
400
300
200
100
0
0 102030 40506070 8090100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0 6.0 12 18 24 30
100
10
1.0
0.1
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
典型 电的 特性
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 1. 总的 电容
I
F
, 向前 电流 (毫安)
图示 2. minority 运输车 存在期
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 3. 反转 泄漏
V
F
, 向前 电压 (伏特)
图示 4. 向前 电压
C
T
, 总的 电容 (pf)
τ
, minority 运输车 存在期 (ps)
f =1.0mhz
T
一个
= –40°c
T
一个
= 85°c
T
一个
= 25°c
krakauer 方法
T
一个
= 100°c
75°C
25°C
SINUSOIDAL
发生器
BALLAST
网络
(焊盘)
抽样
OSCILLOSCOPE
(50
输入)
焊盘
电容的
传导
向前
传导
存储
传导
DUT
I
f(顶峰)
I
r(顶峰)
图示 5. krakauer 方法 的 测量 存在期
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