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资料编号:473266
 
资料名称:MBD301
 
文件大小: 54.43K
   
说明
 
介绍:
Silicon Hot-Carrier Diodes Schottky Barrier Diodes
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号MBD301的Datasheet PDF文件第2页
2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
g16–1/2
最大 比率(t
J
=125
°c 除非 否则 指出
)
MBD301 MMBD301LT1
比率 标识 单位
反转 电压 V
R
30 伏特
向前 电源 消耗 P
F
@ta=25 °c 280 200 mW
减额 在之上 25 °c 2.8 2.0 mw/ °c
运行 接合面 T
J
°C
存储 温度 范围 T
stg
–55 至 +150 °C
设备 标记
MMBD301LT1=4T
电的 特性(t
一个
=25 °c 除非 否则 指出)
典型的 标识 最小值 典型值 M一个x 单位
反转 损坏 电压(i
R
=10
µ
一个) V
(br)r
30 伏特
总的 电容(v
R
=15v,f=1.0mhz,)figure1 C
T
0.9 1.5 pF
反转 泄漏(v
R
=25v)figure3 I
R
13 200
n
模数转换器
向前 电压(如果=1.0madc)figure4 V
F
0.38 0.45 Vdc
向前 电压(如果=10madc)figure4 V
F
0.52 0.6 Vdc
便条:mmbd301lt1
是 也 有 在 大(量) 包装.使用
MMBD301L
作 这 设备 标题 至 顺序 这个 设备 在 大(量).
硅 hot–carrier 二极管
肖特基 屏障 二极管
3
CATHODE
1
ANODE
这些 设备 是 设计 primarily 为 high–efficiency uhf 和 vhf 探测器
产品.它们 是 readily adaptable 至 许多 其它 快 切换 rf 和 数字的
产品.它们 是 有提供的 在 一个 inexpensive 塑料 包装 为 low–cost,
high–volume 消费者 和 工业的/商业的 (所需的)东西.它们 是 也
有 在 一个 表面 挂载 包装.
极其 低 minority 运输车 存在期 –15ps(典型值)
非常 低 电容 –1.5pf(最大值)@vr=15v
clow 反转 泄漏 –ir=13 nadc(典型值)mbd301,mmbd301
1
3
2
情况 318–08, 样式 6
sot– 23 (to–236ab)
MMBD301LT1
30 伏特
硅 hot–carrier
探测器 和 切换
二极管
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