双 phototransistor
OPTOCOUPLERS
MCT6 MCT61 MCT62
10/20/04
页 2 的 8
© 2003 仙童 半导体 公司
** 所有 typicals 在 ta = 25°c
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 specified.)
单独的 组件 特性
参数 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
发射级
输入 向前 电压 (i
F
= 20 毫安) V
F
1.2 1.5 V
反转 电压 (i
R
= 10 µa) V
R
3.0 25 V
反转 电流 (v
R
= 5 v) I
R
0.001 10 µA
接合面 电容 (v
F
= 0 v, f = 1 mhz) C
J
50 pF
探测器
集电级-发射级 损坏 电压 (i
C
= 1.0 毫安, i
F
= 0) BV
CEO
30 85 V
发射级-集电级 损坏 电压 (i
E
= 100 µa, i
F
= 0) BV
ECO
613 V
集电级-发射级 dark 电流 (v
CE
= 10 v, i
F
= 0) I
CEO
5 100 nA
电容 (v
CE
= 0 v, f = 1 mhz) C
CE
8pF
转移 特性
交流典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
切换 时间
非-saturated 转变-在 时间 (r
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v) t
在
2.4 µs
非-saturated 转变-止 时间 (r
L
= 100
Ω
, i
C
= 2 毫安, v
CC
= 10 v) t
止
2.4 µs
转移 特性
直流 典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
电流 转移 比率, 集电级-发射级
CTR
MCT6 (i
F
= 10 毫安, v
CE
= 10 v) 20
% mct61
(i
F
= 5 毫安, v
CE
= 5 v)
50
MCT62 100
饱和 电压 (i
F
= 16 毫安, i
C
= 2 毫安) V
ce(sat)
0.15 0.40 V
分开 特性
典型的 测试 情况 标识 最小值 Typ** 最大值 单位
输入-输出 分开 电压 (i
i-o
≤
1 µa, t = 1 最小值.) V
ISO
5300 vac(rms)
分开 阻抗 (v
i-o
= 500 vdc) R
ISO
10
11
Ω
分开 电容 (f = 1 mhz) C
ISO
0.5 pf
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