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资料编号:48127
 
资料名称:3SK194
 
文件大小: 37.08K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
 
 


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3SK194
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dsx
15 V I
D
= 200
µ
一个,
V
G1S
= v
G2S
= –5 v
门 1 至 源 损坏
电压
V
(br)g1ss
±
10 V I
G1
=
±
10
µ
一个, v
G2S
= v
DS
= 0
门 2 至 源 损坏
电压
V
(br)g2ss
±
10 V I
G2
=
±
10
µ
一个, v
G1S
= v
DS
= 0
门 1 截止 电流 I
G1SS
——
±
100 nA V
G1S
=
±
8 v, v
G2S
= v
DS
= 0
门 2 截止 电流 I
G2SS
——
±
100 nA V
G2S
=
±
8 v, v
G1S
= v
DS
= 0
门 1 至 源 截止 电压 V
g1s(止)
–1.0 V V
DS
= 10 v, v
G2S
= 3 v,
I
D
= 100
µ
一个
门 2 至 源 截止 电压 V
g2s(止)
–1.5 V V
DS
= 10 v, v
G1S
= 3 v,
I
D
= 100
µ
一个
流 电流 I
DSS
0 10 毫安 V
DS
= 6 v, v
G1S
= 0, v
G2S
= 3 v
向前 转移 admittance |y
fs
|17——mSV
DS
= 6 v, v
G2S
= 3 v,
I
D
= 10 毫安, f = 1 khz
输入 电容 Ciss 2.8 3.5 pF V
DS
= 6 v, v
G2S
= 3 v,
I
D
= 10 毫安, f = 1 mhz
输出 电容 Coss 1.8 2.5 pF
反转 转移 电容 Crss 0.02 pF
电源 增益 PG 12 15 dB V
DS
= 6 v, v
G2S
= 3 v,
I
D
= 10 毫安, f = 900 mhz
噪音 图示 NF 3.0 4.5 dB
噪音 图示 NF 3.0 4.0 dB V
DD
= 12 v, v
AGC
= 10.5 v,
f = 60 mhz
电源 增益 PG 27 30 dB V
DS
= 6 v, v
G2S
= 3 v,
I
D
= 10 毫安, f = 200 mhz
噪音 图示 NF 1.0 2.5 dB
便条: 标记 是 “iy–”.
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