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资料编号:48127
资料名称:
3SK194
文件大小: 37.08K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
: 点此下载
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3
4
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6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
3SK194
6
电源 增益 vs. 流 至 源 电压
流 至 源 电压 v
DS
(v)
电源 增益 pg
(db)
20
16
12
8
4
04812
20
16
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
f = 900 mhz
噪音 图示 vs. 流 电流
流 电流 i
D
(毫安)
噪音 图示 nf
(db)
5
4
3
2
1
04812
20
16
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 3 v
f = 200 mhz
噪音 图示 vs. 流 电流
流 电流 i
D
(毫安)
噪音 图示 nf
(db)
10
8
6
4
2
04812
20
16
V
DS
= 6 v
V
G2S
= 3 v
f = 900 mhz
噪音 图示 vs.
流 至 源 电压
流 至 源 电压 v
DS
(v)
噪音 图示 nf
(db)
5
4
3
2
1
04812
20
16
V
G2S
= 3 v
I
D
= 10 毫安
f = 200 mhz
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