mjd112 (npn) mjd117 (pnp)
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4
I
C
, 集电级 电流 (放大)
图示 4. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
图示 5. 电源 减额
2
V
CE
, collector−emitter 电压 (伏特)
0.3
100
5
2
0.5
0.2
使牢固结合 线 限制
热的 限制
第二 损坏 限制
5203
T
J
= 150
°
C
曲线 应用 在下 评估 v
CEO
100
s
1ms
直流
0.1
1
3
7
10
10730
25
25
t, 温度 (
°
c)
0
50 75 100 125 15
20
15
10
5
P
D
, 电源 消耗 (watts)
2.5
0
2
1.5
1
0.5
T
一个
T
C
T
一个
表面
挂载
T
C
0.7
5ms
50 70 200
500
s
active−region safe−operating 范围
那里是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的
一个 晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二
损坏. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
− v
CE
限制 的 这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
运作;i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好
消耗 比 这 曲线 表明.
这 数据 的 计算数量 5 和 6 是 为基础 在 t
j(pk)
= 150
c;
T
C
是 能变的 取决于 在 情况. 第二 损坏
脉冲波限制 是 有效的 为 职责 循环 至 10% 提供 t
j(pk)
< 150
c. t
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在
图示 4. 在高 情况 温度, 热的 限制 将
减少 这 电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
c, 电容 (pf)
V
R
, 反转 电压 (伏特)
C
ib
0.04
30
1 4 10 40
T
C
= 25
°
C
200
10
50
70
100
0.1 2 6 20
20
PNP
NPN
0.60.40.20.06
图示 6. 电容
C
ob