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资料编号:482240
 
资料名称:MJD112-001
 
文件大小: 147.74K
   
说明
 
介绍:
Complementary Darlington Power Transistors
 
 


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mjd112 (npn) mjd117 (pnp)
http://onsemi.com
6
npn mjd112 pnp mjd117
0.04
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.06 0.2
0
*applied 为 i
C
/i
B
< h
FE
/3
0.1 0.6
−55
°
c 至 25
°
C
0.4 1
−4.8
24
10
4
V
, base−emitter 电压 (伏特)
10
−1
0−0.4
, 集电级 电流 (a)
µ
I
C
10
3
10
2
10
1
10
0
+0.2 +0.4 +0.6
T
J
= 150
°
C
100
°
C
反转 向前
25
°
C
V
CE
= 30 v
10
5
−0.6 −0.2 +0.8 +1 +1.2 +1.4
10
4
V
, base−emitter 电压 (伏特)
10
−1
0+0.4
, 集电级 电流 (a)
µ
I
C
10
3
10
2
10
1
10
0
−0.2 −0.4 −0.6
10
5
+0.6 +0.2 −0.8 −1 −1.2 −1.4
+0.8
−4
−3.2
−2.4
−1.6
−0.8
VC
为 v
25
°
c 至 150
°
C
25
°
c 至 150
°
C
*
VC
为 v
ce(sat)
0.04
I
C
, 集电级 电流 (放大)
0.06 0.20.1 0.60.4 1 2 4
图示 10. 温度 coefficients
图示 11. 集电级 cut−off 区域
图示 12. darlington 图式
根基
发射级
集电级
8 k
120
PNP
根基
发射级
集电级
8 k
120
NPN
0
−4.8
+0.8
−4
−3.2
−2.4
−1.6
−0.8
V
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
θ
V
, 温度 coefficients (mv/ c)
°
θ
−55
°
c 至 25
°
C
*applies 为 i
C
/i
B
< h
FE
/3
*
VC
为 v
ce(sat)
VB
为 v
25
°
c 至 150
°
C
−55
°
c 至 25
°
C
25
°
c 至 150
°
C
−55
°
c 至 25
°
C
V
CE
= 30 v
反转 向前
T
J
= 150
°
C
100
°
C
25
°
C
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