MMDF2P02HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
I
S
, 源 电流
t, 时间
di/dt = 300 一个/
µ
s
标准 cell 密度
高 cell 密度
t
b
t
rr
t
一个
t
rr
图示 11. 反转 恢复 时间 (t
rr
)
safe 运行 范围
这向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这maximum simultaneous drain–to–source voltage一个nd
流电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是 为-
ward片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰 junc-
tion温度 和 一个 情况 温度 (t
C
)的 25
°
c. 顶峰
repetitive搏动 电源 限制 是 决定 用 使用 这
热的回馈 数据 在 conjunction 和 这程序
discussed在 an569, “transient 热的 阻抗 – gen-
eral 数据 和 它的 使用.”
切换在 这 的f–state 和 这 on–state 将 tra-
verse任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流 (i
DM
)
也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过, 和 那 这 转变
时间 (t
r
, t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加这 总的 电源
averaged在 一个 完全 切换 循环 必须 不 超过
(t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
一个电源 场效应晶体管 designated e–fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和unclamped inductive 负载. 为 reli-
能 运作,这 贮存 活力 从 电路 电感 dis-
sipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少 比
这评估 限制 和 必须 是 调整 为 运行 情况
differing从 那些 指定.虽然 工业 实践 是 至
比率在 条款 的活力, avalanche 活力 能力 是 不 一个
常量.这 活力 比率 减少 non–linearly 和一个
增加的 顶峰 电流 在 avalanche 和 顶峰 接合面 tem-
perature.
虽然 许多 e–fets 能 承受 这 压力 的 drain–
to–sourceavalanche 在 电流 向上 至 评估 搏动 电流
(i
DM
), 这 活力 比率 是 指定 在 评估 持续的 cur-
rent(i
D
), 在 一致 和 工业 custom.这 活力 rat-
ingmust be der一个ted for temper一个ture 一个s shown in the
accompanying图表 (图示 13). 最大活力 在 cur-
rents在下 评估 持续的 i
D
能 safely 是 assumed 至
equal 这 值 表明.
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain–to–source
图示 12. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
avalanche 活力 (mj)
0
25 50 75 100 125
150
250
150
350
100
200
300
50
I
D
= 6 一个
图示 13. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
0.1
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
1
10
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.01
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
10
0.1
直流
10 ms
1
100
100
挂载 在 2” sq. fr4 板 (1” sq. 2 oz. cu 0.06”
厚 单独的 sided) 和 一个 消逝 运行, 10s 最大值
1 ms
100
µ
s
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